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公开(公告)号：CN100409458C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN01821927.6
申请日：2001-12-27
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明肖特基二极管具有由位于半导体基体或基板内的一掺杂阱顶侧的一薄金属层及/或金属硅化物所形成的一肖特基结。与CMOS阱上的低阻抗接触的制程不同，在较佳实施例中，一精准的钛不被施加至高掺杂接触区域，而是被施加至掺杂阱的轻掺杂半导体材料，例如高电压晶体管制造用的HV阱。
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公开(公告)号：CN1307725C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200410028417.5
申请日：2004-03-11
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0634 , H01L29/0847 , H01L29/402 , H01L29/4175 , H01L29/7835
Abstract: 一种场效晶体管包含一基板(30)具有一第一传导类型的掺杂，一漏区(50，52，54)在基板(30)中具有与第一传导类型相反的第二传导类型的掺杂，一源区(40)于基板(30)中与漏区(50，52，54)侧向间隔且具有第二传导类型的掺杂，以及一沟道区(98)于基板(30)中，其配置于源区(40)以及漏区(50，52，54)之间。在基板(30)邻接漏区(50，52，54)的一部份中，具有第二传导类型的掺杂的一区域(102，104)，其系被连接到漏区(50，52，54)，系被安排以使在区域中具有第一传导类型以及第二传导类型的交替区域被配置。
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公开(公告)号：CN100517757C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200380102528.X
申请日：2003-10-24
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
Inventor： H·塔迪肯
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78624 , H01L29/78639
Abstract: 根据本发明的一种金氧半导体(MOS)晶体管，具有形成在一绝缘体硅(SOI)基板(20)的一半导体层(18)中的一源极区域(12)，一漏极区域(16a，16b)，以及一信道区域(14)，且该SOI基板具有一半导体基板(24)位在该半导体层(18)下方，以及一绝缘层位在半导体层(18)及半导体基板(24)间，而该漏极或源极区域(12，16a，16b)通过一穿透该半导体基板(24)的一穿孔而被电连接至一位于该半导体基板(24)远离该绝缘层(22)的一侧上的一后方接触。本发明中心想法在于，在不需要限制应用范围的情形下，通过将一穿孔自该源极或该漏极区域引导跨越该绝缘层以及该半导体基板两者再到达待电连接至该区域的一后方接触，而获得一MOS晶体管的一简单可接触性，因为，从而，所述半导体基板的材质特性需求，例如，掺质以及传导性，即变得不需要或是会被降低。
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公开(公告)号：CN1639876A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01821927.6
申请日：2001-12-27
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明肖特基二极管具有由位于半导体基体或基板内之一掺杂井顶侧之一薄金属层及/或金属硅化物所形成之一肖特基结。与CMOS井上之低阻抗接触之制程不同，在较佳实施例中，一精准的钛不被施加至高掺杂接触区域，而是被施加至掺杂井之轻掺杂半导体材料，例如高电压晶体管制造用之HV井。
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公开(公告)号：CN1531104A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028417.5
申请日：2004-03-11
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0634 , H01L29/0847 , H01L29/402 , H01L29/4175 , H01L29/7835
Abstract: 一种场效晶体管包含一基板(30)具有一第一传导类型之一掺杂，一漏区(50，52，54)在基板(30)中具有与第一传导类型相反之一第二传导类型之一掺杂，一源区(40)于基板(30)中与漏区(50，52，54)侧向间隔且具有第二传导类型之一掺杂，以及一沟道区(98)于基板(30)中，其配置于源区(40)以及漏区(50，52，54)之间。在基板(30)邻接漏区(50，52，54)之一部分中，具有第二传导类型之一掺杂的一区域(102，104)，其系被连接到漏区(50，52，54)，系被安排以使在区域中具有第一传导类型以及第二传导类型之交替区域被配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1801620B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200510120141.8
申请日：2005-11-07
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H03K17/693 , H01P1/15
CPC classification number: H01L27/088 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H03K17/6871 , H03K17/693
Abstract: 一种高频开关晶体管(100；200)包括具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)和与该衬底相邻的阻挡区(104)，该阻挡区(104)具有第一导电类型，其中阻挡区掺杂剂浓度比该衬底掺杂剂浓度高。而且，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的源区(108)，其包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的源区掺杂剂浓度。另外，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的漏区(110)，且设置得偏离源区(108)，其包括第二导电类型且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)且其设置在沟道区(112)和栅电极(114)之间。这种高频开关晶体管(100；200)允许开关具有较高高频信号幅度的高频信号，如可由常规的高频开关晶体管开关的。
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公开(公告)号：CN1801620A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510120141.8
申请日：2005-11-07
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: H03K17/693 , H01P1/15
CPC classification number: H01L27/088 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H03K17/6871 , H03K17/693
Abstract: 一种高频开关晶体管(100；200)包括具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)和与该衬底相邻的阻挡区(104)，该阻挡区(104)具有第一导电类型，其中阻挡区掺杂剂浓度比该衬底掺杂剂浓度高。而且，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的源区(108)，其包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的源区掺杂剂浓度。另外，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的漏区(110)，且设置得偏离源区(108)，其包括第二导电类型且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)且其设置在沟道区(112)和栅电极(114)之间。这种高频开关晶体管(100；200)允许开关具有较高高频信号幅度的高频信号，如可由常规的高频开关晶体管开关的。
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公开(公告)号：CN1708859A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102528.X
申请日：2003-10-24
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
Inventor： H·塔迪肯
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78624 , H01L29/78639
Abstract: 根据本发明的一种金氧半导体(MOS)晶体管，具有形成在一绝缘体硅(SOI)基板(20)的一半导体层(18)中的一源极区域(12)，一漏极区域(16a，16b)，以及一信道区域(14)，且该SOI基板乃具有一半导体基板(24)位在该半导体层(18)下方，以及一绝缘层位在半导体层(18)及半导体基板(24)间，而该漏极或源极区域(12，16a，16b)乃是藉由一穿透该半导体基板(24)的一穿孔而被电连接至一位在该半导体基板(24)远离该绝缘层(22)的一侧的上的一后方接触。本发明中心想法乃在于，在不需要限制应用范围的情形下，藉由将一穿孔自该源极或该漏极区域引导跨越该绝缘层以及该半导体基板两者再到达待电连接至该区域的一后方接触，而获得一MOS晶体管的一简单可接触性，因为，藉此，该等半导体基板的材质特性需求，例如，掺质以及传导性，即变得不需要或是会被降低。
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公开(公告)号：CN1228739C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02804792.3
申请日：2002-01-31
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: G07F1/00 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/511 , G04F1/005 , G04F10/10 , H01L29/42324 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 一种时间记录装置使用浮动栅单元，其中ON层结构或ONO层结构在浮动栅及控制栅间被提供。一种电荷注入单元被提供以藉由施用电压或电压脉冲于该控制栅电极而注入电荷于该浮动栅电极及注入ON结构或ONO结构的该氮化物层，注入该氮化物层的电荷浓度中心系位于该层序列的氧化物层及氮化物层间的接口。时间记录装置亦包括一种单元以在该氮化物层电荷浓度中心离开接口之偏移所引起在该沟道区域的传送行为之变化为基准记录自电荷注入已经过时间。
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公开(公告)号：CN1491406A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02804792.3
申请日：2002-01-31
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司
IPC: G07F1/00 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/511 , G04F1/005 , G04F10/10 , H01L29/42324 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 一种时间记录装置使用浮动闸胞元，其中ON层结构或ONO层结构在浮动闸及控制闸间被提供。一种电荷注入单元被提供以藉由施用电压或电压脉冲于该控制闸电极而注入电荷于该浮动闸电极及注入ON结构或ONO结构的该氮化物层，注入该氮化物层的电荷浓度中心系位于该层序列的氧化物层及氮化物层间的接口。时间记录装置亦包括一种单元以在该氮化物层电荷浓度中心离开接口之偏移所引起在该信道区域的传送行为之变化为基准记录自电荷注入已经过时间。
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