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公开(公告)号：CN118851257A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310475678.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 四川大学
IPC: C01G25/02
Abstract: 本发明提供了一种使用团聚粉制备薄壳结构空心球形YSZ粉末的制备方法，包括以下步骤：一、设计原始团聚粉末的原始粉末粒径、团聚类型、孔隙率等材料特性；二、设计等离子体发生器喷嘴形状及预热温度；三、采用带热壁喷嘴的电弧等离子发生器球化处理；四、筛分处理，得到薄壳结构的空心球形YSZ粉末。采用本发明制备的YSZ粉末为全四方相、空心球形结构，粉体壳厚度薄等特性；本发明工艺过程中设备简单，生产成本低，适于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN113677081A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110930409.3
申请日：2021-08-13
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超低压等离子喷涂的反极性等离子喷涂枪，包括枪体部分和外部喷管部分；枪体部分采用前置中心通孔阴极和后置杯状阳极的反极性电极结构设计，使喷枪在较低电流条件下实现更大的功率，降低了电极的烧蚀和涂层的污染；外部喷管部分采用带有直筒状通孔的石墨喷管，通过压缩射流提高了低压下的射流温度，并大幅延长了粉末在高温射流区域的停留时间，使粉末可以在低压环境和较小喷枪功率条件下也能充分的熔融和气化；采用气体冷却来定量地冷却石墨喷管，使喷管内壁处于较高的温度，结合较大的等离子气体流量，有效解决了粉末在管壁内壁沉积堵塞的问题。
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公开(公告)号：CN112695268A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110048810.4
申请日：2021-01-14
Applicant: 四川大学
IPC: C23C4/134
Abstract: 本发明公开了一种用于超音速等离子喷涂的环形送粉和气体聚焦装置，包括圆柱形阳极、阳极套筒、送粉环、气体聚焦环、环形端盖以及喷嘴；粉末由环形端盖上的送粉孔注入并通过间距为L3的环形狭缝进入射流通道；聚焦气体由环形端盖上的聚焦气体进气孔注入并通过间距为L4的聚焦气体环形狭缝汇聚到外部射流；送粉环形狭缝与主轴中心线成锐角α；聚焦气体环形狭缝与主轴中心线成锐角β；同一零件上送粉孔、聚焦气体进气孔的母线分别与其相连的送粉环形槽和聚焦气体环形槽的内壁相切；本发明结构简单，无需水冷，能够将粉末沿周向连续均匀地送入射流，减小射流扰动，提高送粉效率以及粉末加热均匀性，并通过聚焦气体避免粉末外溢。
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公开(公告)号：CN109100387B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810860524.6
申请日：2018-08-01
Applicant: 四川大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明公开了一种测定高能束冲击平面时热流密度的方法。根据高能束在空气中传播时，截面热流密度大致遵循高斯分布的特性，当高能束作用于铁基材料一段时间后，材料会产生月牙形相变硬化，此月牙形相变区域的尺寸能直接反映出高能束的热流密度分布规律。通过仿真软件拟合，并调整系数得到相同相变区，进而将系数带入热流密度分布公式中，可得到截面热流密度分布。该发明所述方法，操作简单，无需专用接收靶板；能够得到连续的热流密度分布方程；且适用范围广极广。
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公开(公告)号：CN112695268B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110048810.4
申请日：2021-01-14
Applicant: 四川大学
IPC: C23C4/134
Abstract: 本发明公开了一种用于超音速等离子喷涂的环形送粉和气体聚焦装置，包括圆柱形阳极、阳极套筒、送粉环、气体聚焦环、环形端盖以及喷嘴；粉末由环形端盖上的送粉孔注入并通过间距为L3的环形狭缝进入射流通道；聚焦气体由环形端盖上的聚焦气体进气孔注入并通过间距为L4的聚焦气体环形狭缝汇聚到外部射流；送粉环形狭缝与主轴中心线成锐角α；聚焦气体环形狭缝与主轴中心线成锐角β；同一零件上送粉孔、聚焦气体进气孔的母线分别与其相连的送粉环形槽和聚焦气体环形槽的内壁相切；本发明结构简单，无需水冷，能够将粉末沿周向连续均匀地送入射流，减小射流扰动，提高送粉效率以及粉末加热均匀性，并通过聚焦气体避免粉末外溢。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108179247A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810032658.9
申请日：2018-01-12
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供一种对工件表面进行等离子体表面织构化热处理强化工艺方法。通过控制电弧等离子体束的扫描速度，使工件表面无需热处理强化的区域具有较大的扫描速度，而需要热处理强化的区域具有较小的扫描速度，实现对工件的表面织构化热处理。其方法包含以下步骤：步骤一：确定表面织构化热处理强化所需的工艺参数；步骤二：固定工件位置；步骤三：设定电弧等离子体发生器的初始位置；步骤四：编写电弧等离子体发生器的位置和速度控制程序；步骤五：开启并调试电弧等离子体发生器；步骤六：调用已编写完的程序并启动自动运行按钮。
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公开(公告)号：CN113677081B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110930409.3
申请日：2021-08-13
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超低压等离子喷涂的反极性等离子喷涂枪，包括枪体部分和外部喷管部分；枪体部分采用前置中心通孔阴极和后置杯状阳极的反极性电极结构设计，使喷枪在较低电流条件下实现更大的功率，降低了电极的烧蚀和涂层的污染；外部喷管部分采用带有直筒状通孔的石墨喷管，通过压缩射流提高了低压下的射流温度，并大幅延长了粉末在高温射流区域的停留时间，使粉末可以在低压环境和较小喷枪功率条件下也能充分的熔融和气化；采用气体冷却来定量地冷却石墨喷管，使喷管内壁处于较高的温度，结合较大的等离子气体流量，有效解决了粉末在管壁内壁沉积堵塞的问题。
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公开(公告)号：CN108179247B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810032658.9
申请日：2018-01-12
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供一种对工件表面进行等离子体表面织构化热处理强化工艺方法。通过控制电弧等离子体束的扫描速度，使工件表面无需热处理强化的区域具有较大的扫描速度，而需要热处理强化的区域具有较小的扫描速度，实现对工件的表面织构化热处理。其方法包含以下步骤：步骤一：确定表面织构化热处理强化所需的工艺参数；步骤二：固定工件位置；步骤三：设定电弧等离子体发生器的初始位置；步骤四：编写电弧等离子体发生器的位置和速度控制程序；步骤五：开启并调试电弧等离子体发生器；步骤六：调用已编写完的程序并启动自动运行按钮。
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公开(公告)号：CN109808049A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910255214.6
申请日：2019-04-01
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明涉及一种高温气体气雾化制备球形粉末的方法。该高温气体气雾化制备方法包括：产生并运输高温气体：所述高温气体由高温气体发生装置产生，所述高温气体经运输管道进入气雾化装置；气雾化：熔融原料进入气雾化装置，被高温气体雾化后，在雾化室形成破碎液滴，所述气雾化装置包括加热热源，雾化喷嘴和雾化室，所述加热热源用于获取熔融材料，所述雾化喷嘴用于喷射高温气体；粉末收集：破碎液滴通过冷却装置，凝固成为球形粉末，并被粉末收集装置收集，所述冷却装置可以调节工作参数从而控制破碎液滴的球化过程。本发明创新性在于使用高温气体冲击破碎熔融材料，并控制球化过程从而制得球化率高，球形度好，颗粒直径小，表面质量好的球形粉末。
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公开(公告)号：CN107969061A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711409759.5
申请日：2017-12-23
Applicant: 四川大学
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H05H1/30
Abstract: 本发明公开了一种加工硅基材料的大气感应耦合等离子体（ICP）发生器，主要由分体式炬管、炬管安装座、弹簧夹头、单匝线圈、端盖板、喷嘴和底板组成。与现有的用于硅基材料加工的ICP发生器相比，本发明具有以下突出优点：1.提升加工表面质量，采用两个与炬管同轴布置的单匝线圈，设定参数不变的条件下可长时间产生去除函数直径不变的等离子体射流；2.降低成本，分体式炬管的内管和中管采用难以被活性反应粒子刻蚀的材料，降低炬管的替换和维修成本；3.炬管同轴度更高，外管与内管均依靠一体式中管管座段的台阶面进行定位，更利于稳定等离子体；4.实现加工分辨率可调，调整喷嘴内体的结构尺寸，可得到不同去除函数直径。
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