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公开(公告)号：CN115745605B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202211303160.4
申请日：2022-10-24
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种用预处理后的五氧化二铌制备铌锆酸钾钠铋铁及其制备方法，该方法包含：(1)将正交相的Nb2O5升温至700～1000℃保温；(2)按通式称量混合、球磨、烘烤，升温至800～950℃保温；(3)加入粘结剂，造粒、压制，于700～950℃排粘结剂，升温至1150～1200℃保温，再降温至1050～1100℃烧结；(4)刷银浆，于700～800℃烧结，极化得到铌锆酸钾钠铋铁陶瓷。本发明解决了现有技术中的压电性能、应变温度稳定性不佳的问题。本发明使用预处理的Nb2O5作为原料，优化了工艺参数，所制得的铌锆酸钾钠铋铁陶瓷的压电性能与应变温度稳定性均有了显著提升。
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公开(公告)号：CN115572165B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110687042.7
申请日：2021-06-21
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种铌锆酸铋钾钠铜铁无铅压电陶瓷材料的制备方法，该压电陶瓷的通式为[(K0.45Na0.55)0.98‑x(Bi0.5Na0.5)xCu0.01](Nb1‑xZrxFe0.004)O3表示，其中0.03≤x≤0.05。采用固相反应法，经过原料混合，预烧，造粒，压片，排胶，烧结，烧银，极化等工艺制备陶瓷材料。结果表明，铌锆酸铋钾钠铜铁无铅压电陶瓷，其烧结特性好、损耗低、结构致密、压电性能优异：压电常数d33:170～260pC/N，机电耦合系数kp:0.42～0.47，机械品质因数Qm:250～370。
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公开(公告)号：CN115286386B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211035937.3
申请日：2022-08-27
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种非化学计量Nb5+的铌钽锆铁酸钾钠铋陶瓷及其制备方法，采用传统的固相法制备了通式为(K0.45936Na0.51764Bi0.023)(Nb0.89958+0.957xTa0.05742Zr0.04Fe0.003)O3(‑0.01≤x≤0.04)的陶瓷粉体；再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等传统的电子陶瓷制备工艺制备压电陶瓷，结果表明，过量的Nb5+占据B位，显著影响压电陶瓷的微观结构、介电和压电性能，此外，过量的Nb5+掺杂通过提供畴壁钉住效应提高了陶瓷的温度稳定性，其中在(K0.45936Na0.51764Bi0.023)(Nb0.90915Ta0.05742Zr0.04Fe0.003)O3陶瓷中可以同时获得居里温度TC＝300℃、介电损耗tanδ＝0.024、机电耦合系数kp＝0.516和压电常数d33＝450pC/N，介电常数εr＝1644，使铌钽锆铁酸钾钠铋陶瓷具有广泛的应用前景，包括传感器、执行器和其他电子设备。
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公开(公告)号：CN115572165A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110687042.7
申请日：2021-06-21
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种铌锆酸铋钾钠铜铁无铅压电陶瓷材料，该压电陶瓷的通式为[(K0.45Na0.55)0.98‑x(Bi0.5Na0.5)xCu0.01](Nb1‑xZrxFe0.004)O3表示，其中0.3≤x≤0.5。采用固相反应法，经过原料混合，预烧，造粒，压片，排胶，烧结，烧银，极化等工艺制备陶瓷材料。结果表明，铌锆酸铋钾钠铜铁无铅压电陶瓷，其烧结特性好、损耗低、结构致密、压电性能优异：压电常数d33:170~260 pC/N，机电耦合系数kp:0.42~0.47，机械品质因数Qm:250~370。
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公开(公告)号：CN115959900A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111171345.X
申请日：2021-10-08
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
摘要： 本发明公开了一种铁钛钪锰酸铋钡钕无铅压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷的通式为Bi0.76‑xBa0.24‑xNdxMn0.003Fe0.76‑xTi0.24‑xScxO3，其中0.005≤x≤0.02。采用固相反应法，经过原料混合，预烧，造粒，压片，排胶，烧结，烧银，极化等工艺制备陶瓷材料。结果表明，铁钛钪锰酸铋钡钕无铅压电陶瓷，其烧结特性好、损耗低、结构致密、压电性能优异：压电常数d33:105～118pC/N，居里温度TC:560～620℃；机电耦合系数kp:0.3～0.32，机械品质因数Qm:90～110。
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公开(公告)号：CN115745605A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211303160.4
申请日：2022-10-24
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种用预处理后的五氧化二铌制备铌锆酸钾钠铋铁及其制备方法，该方法包含：(1)将正交相的Nb2O5升温至700～1000℃保温；(2)按通式称量混合、球磨、烘烤，升温至800～950℃保温；(3)加入粘结剂，造粒、压制，于700～950℃排粘结剂，升温至1150～1200℃保温，再降温至1050～1100℃烧结；(4)刷银浆，于700～800℃烧结，极化得到铌锆酸钾钠铋铁陶瓷。本发明解决了现有技术中的压电性能、应变温度稳定性不佳的问题。本发明使用预处理的Nb2O5作为原料，优化了工艺参数，所制得的铌锆酸钾钠铋铁陶瓷的压电性能与应变温度稳定性均有了显著提升。
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公开(公告)号：CN115286386A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211035937.3
申请日：2022-08-27
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种非化学计量Nb5+的铌钽锆铁酸钾钠铋陶瓷及其制备方法，采用传统的固相法制备了通式为(K0.45936Na0.51764Bi0.023)(Nb0.89958+0.957xTa0.05742Zr0.04Fe0.003)O3(‑0.01≤x≤0.04)的陶瓷粉体；再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等传统的电子陶瓷制备工艺制备压电陶瓷，结果表明，过量的Nb5+占据B位，显著影响压电陶瓷的微观结构、介电和压电性能，此外，过量的Nb5+掺杂通过提供畴壁钉住效应提高了陶瓷的温度稳定性，其中在(K0.45936Na0.51764Bi0.023)(Nb0.90915Ta0.05742Zr0.04Fe0.003)O3陶瓷中可以同时获得居里温度TC＝300℃、介电损耗tanδ＝0.024、机电耦合系数kp＝0.516和压电常数d33＝450pC/N，介电常数εr＝1644，使铌钽锆铁酸钾钠铋陶瓷具有广泛的应用前景，包括传感器、执行器和其他电子设备。
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公开(公告)号：CN111908917A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910373628.9
申请日：2019-05-07
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/37 , H01L41/43
摘要： 本发明公开了一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该方法是采用固相法制备锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠（KNN）基陶瓷粉体材料；再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等电子陶瓷制备工艺制备锆酸铋钠锶掺杂KNN基陶瓷。通过组元Sr(BiNa)ZrO3掺杂大大提高了KNN压电及介电性能，并具有较好的温度稳定性，可望制备压电器件。
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