具有溅射的半导体材料的光子集成电路

    公开(公告)号:CN113267846A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110138874.3

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 本申请涉及具有溅射的半导体材料的光子集成电路。一种溅射系统可以将氢气和溅射气体注入到溅射系统的腔室中,这可以导致氢化的半导体材料诸如氢化硅(Si:H)的至少一层被溅射到设置在腔室中的基底上,直到该至少一层具有满足阈值的厚度。在一些实施方式中,当溅射系统的腔室中的温度在从145℃至165℃的范围内时,氢气和溅射气体可以被注入到该腔室中。因此,在一些实施方式中,氢化的半导体材料的溅射层可以具有满足阈值的一种或更多种光学性质,以使得能够在9xx纳米波长范围和更大的波长操作。

    光学滤波器
    7.
    发明公开
    光学滤波器 审中-实审

    公开(公告)号:CN113514914A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110382831.X

    申请日:2021-04-09

    Abstract: 本申请涉及光学滤波器。在一些实施方式中,光学滤波器包括第一组层,该第一组层被配置为使与第一波长范围相关联的光通过;第二组层,该第二组层被配置为反射与第一波长范围的至少一个子范围相关联的光;和第三组层,该第三组层被配置为反射与第二波长范围相关联的光。在一些实施方式中,第一波长范围包括与波长阈值相关联的上截止波长,而第二波长范围包括与波长阈值相关联的下截止波长。在一些实施方式中,光学滤波器包括第四组层,该第四组层被配置为吸收第一波长范围内的特定百分比的光。

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