-
公开(公告)号：CN105037766B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510492210.1
申请日：2015-09-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。目前覆铜箔板的基材采用覆铜箔聚酰亚胺薄膜PI，PI具有的电绝缘性、耐高温性、阻燃性，随着电子信息产品向高频高速发展，集成电路信号容阻延迟、串扰及能耗问题也日益凸显出来，而印制板的信号传输特性受印制板基材介电常数和介电损耗的影响很大，为满足信号传递的高速化，提高电子线路功能，亟需开发新型低介电常数材料解决上述问题。本发明包括如下步骤：采用模板法制备“核‑壳”结构微球，在650℃的条件下烧结3h，制得纳米二氧化硅空心球，并通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯纳米片。本发明用于SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。
-
公开(公告)号：CN105037766A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510492210.1
申请日：2015-09-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。目前覆铜箔板的基材采用覆铜箔聚酰亚胺薄膜PI，PI具有的电绝缘性、耐高温性、阻燃性，随着电子信息产品向高频高速发展，集成电路信号容阻延迟、串扰及能耗问题也日益凸显出来，而印制板的信号传输特性受印制板基材介电常数和介电损耗的影响很大，为满足信号传递的高速化，提高电子线路功能，亟需开发新型低介电常数材料解决上述问题。本发明包括如下步骤：采用模板法制备“核-壳”结构微球，在650℃的条件下烧结3h，制得纳米二氧化硅空心球，并通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯纳米片。本发明用于SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。
-
公开(公告)号：CN103937241A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410200870.3
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: C08K9/06 , C08G73/1007 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08K3/36 , C08K7/26 , C08K2201/011 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , C08L79/08
Abstract: 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法，本发明涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备方法。本发明要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺介电常数高，介电常数在2.6～3.9，难以满足微电子行业对于基材要求的问题。方法：一、制备纳米SiO2空心球粉末；二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液；三、成膜及热亚胺化；四、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至2.1，可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。
-
公开(公告)号：CN103923332A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410200866.7
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法，它涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备。本发明是要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺薄膜介电常数高，难以满足微电子行业对于基材技术要求的问题。方法：一、制备纳米SiO2空心球粉末；二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液；三、制备三层纳米SiO2空心球/聚酰胺酸薄膜；四、热亚胺化；五、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至1.9，可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.031 seconds)
