公开(公告)号：CN103937241A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410200870.3

申请日：2014-05-13

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 周宏 ,  俞娇娇 ,  金立国 ,  杨玉森 ,  范勇 ,  陈昊

IPC: C08L79/08 ,  C08G73/10 ,  C08K9/06 ,  C08K7/26 ,  C08J5/18 ,  C01B33/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C08K9/06 ,  C08G73/1007 ,  C08J5/18 ,  C08J2379/08 ,  C08K3/36 ,  C08K7/26 ,  C08K2201/011 ,  C08L2203/16 ,  C08L2203/20 ,  C08L79/08

Abstract: 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法，本发明涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备方法。本发明要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺介电常数高，介电常数在2.6～3.9，难以满足微电子行业对于基材要求的问题。方法：一、制备纳米SiO2空心球粉末；二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液；三、成膜及热亚胺化；四、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至2.1，可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。

公开(公告)号：CN103923332A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410200866.7

申请日：2014-05-13

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 周宏 ,  俞娇娇 ,  金立国 ,  杨玉森 ,  范勇 ,  陈昊

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08K9/06 ,  C08K7/26 ,  C08G73/10

Abstract: 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法，它涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备。本发明是要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺薄膜介电常数高，难以满足微电子行业对于基材技术要求的问题。方法：一、制备纳米SiO2空心球粉末；二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液；三、制备三层纳米SiO2空心球/聚酰胺酸薄膜；四、热亚胺化；五、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至1.9，可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。