公开(公告)号：CN103928560A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410177611.3

申请日：2014-04-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  兰浩 ,  于成浩 ,  魏佳童

IPC: H01L31/09 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603

Abstract: 本发明涉及一种应用在粒子探测器、辐射探测器中的辐射探测器像素结构。传感器电荷收集电极为三维电极由重掺杂硅沟槽构成，每个像素电极由硅深沟槽结构隔离开，传感器电荷收集电极和像素隔离都为深沟槽结构，且相等深度。传感器电荷收集电极和衬底硅杂质类型相反，即收集电极为P型，衬底硅为N型；收集电极为N型，衬底硅为P型；收集电极中杂质浓度要比衬底硅浓度大6～7个数量级。本发明提出了一种辐射探测器像素结构，有效提高像素对电荷的收集效率，改善了电荷收集时间，屏蔽了像素间串扰噪声，且降低了传感器反偏电压，以及像素级功耗。

公开(公告)号：CN103746569A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410029437.8

申请日：2014-01-22

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 芦守平 ,  刁鸣 ,  张朝柱 ,  国强 ,  戚连刚 ,  魏佳童 ,  赵晨

IPC: H02M7/02 ,  H02M3/28 ,  H02H7/125

Abstract: 本发明涉及一种高功率因数恒压、恒流程控开关电源及供电方法，包括单片机控制单元，其特征在于：还包括功率因数校正电路、高频变换器、整流滤波电路，交流电源接功率因数校正电路输入端，功率因数校正电路的输出端接高频变换器输入端，高频变换器的控制端接单片机控制单元的PWM信号或PFW信号端，高频变换器的输出端接整流滤波电路，整流滤波电路的输出端即开关电源输出端接负载；开关电源电压输出信号采集端和开关电源电流输出信号采集端接单片机控制单元输入端。

公开(公告)号：CN104157659B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201410352895.5

申请日：2014-07-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 胡海帆 ,  王颖 ,  刁鸣 ,  魏佳童

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/552 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构以及辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构的制作方法。辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本发明的带有气隙及沟槽场板的辐射探测器像素结构，在顶层硅MOSFET与中间电极场板间存在气隙隔离结构，该结构可以有效阻止底部电势向顶层硅MOSFET体区扩展，屏蔽辐射电离后在绝缘介质中产生TID效应；电路中MOSFET被与场板电极连接的沟槽硅包围，该结构可以进一步降低电路与传感器间寄生电容，有效屏蔽两部分信号间串扰。

公开(公告)号：CN104157659A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410352895.5

申请日：2014-07-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 胡海帆 ,  王颖 ,  刁鸣 ,  魏佳童

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/552 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构以及辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构的制作方法。辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本发明的带有气隙及沟槽场板的辐射探测器像素结构，在顶层硅MOSFET与中间电极场板间存在气隙隔离结构，该结构可以有效阻止底部电势向顶层硅MOSFET体区扩展，屏蔽辐射电离后在绝缘介质中产生TID效应；电路中MOSFET被与场板电极连接的沟槽硅包围，该结构可以进一步降低电路与传感器间寄生电容，有效屏蔽两部分信号间串扰。