公开(公告)号：CN104062096B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410301644.4

申请日：2014-06-27

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 刘向力 ,  罗政纯 ,  鲁运朋

IPC: G01M11/02 ,  G01D3/028

Abstract: 本发明提供一种电压补偿温度对晶体光折射率影响的方法，包括以下步骤：在晶体材料完成初步处理后，将晶体置于一个稳定的电场V1中，通过V1给样品晶体施加电压场场强E0；通过光折变率测定仪器检测晶体的光折射率 n，光折变率测定仪器将光折射率 n反馈给接收处理器R；接收处理器R将折射率n及原材料晶体折射率的理论值 n0代入公式，求出Esc的值；再由公式得出补偿电压的值；d是测量晶体电场两极之间的距离，Esc是理论计算出来的所加电场强度。本发明利用补偿电压消除电场条件下温度对光折射率的影响，得到更理想的样品晶体的光折射率与电压之间的关系曲线，即更理想的光折射率。

公开(公告)号：CN104090446A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410301617.7

申请日：2014-06-27

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 刘向力 ,  罗政纯 ,  吴凌

IPC: G02F1/35

Abstract: 本发明提供了一种应力补偿温度对晶体光折射率影响的方法，在光学器件上加入温度监测系统，温度监测系统实时的监控光学器件的工作温度；然后将温度监测系统实时的监控光学器件的工作温度传回到晶体的控制系统；控制系统通过读出的工作温度值，根据温度对光折变指数的影响的图形中温度T与光折变指数Δn对应的关系，求出器件在该工作温度条件下的光折变系数的值；然后对应于正常情况下晶体的应力σ与光折变指数Δn的对应图像中的光折变指数Δn，求出该光折变指数Δn对应的应力σ值，通过控制系统，在器件上加上相应的应力σ值。通过本发明，能够设计出更精确，更为实用的应力光学器件，使得器件的使用范围更广，其性能更为可靠。

公开(公告)号：CN103639850A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310687943.1

申请日：2013-12-13

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 刘向力 ,  罗政纯 ,  鲁运朋

IPC: B24B1/00

CPC classification number: B24B1/00

Abstract: 本发明提供了一种晶体的抛光方法，包括如下步骤：步骤一，准备好晶片，对晶片进行常规抛光处理；步骤二，将抛光好的晶片清洗；步骤三，将清洗后的晶片置于居里温度以下10℃至20℃的保温箱中，保存0.5h至3h后，晶片随箱空冷（在空气氛围中自然冷却）至室温取出。现准备已经通过本方法抛光的LiNbO3、LiTaO3晶片，通过高倍显微镜和SEM（扫描电子显微镜）的观察发现，LiNbO3、LiTaO3晶片表面的缺陷显著减少，进一步的光学验证结果表明，本方法抛光后的LiNbO3、LiTaO3晶片性能分别有5%-12%的提升，作为精密光学器件，即使是细微的变化也会产生巨大的改变，显然5%-12%的性能加成意义是重大的。

公开(公告)号：CN103666277B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310698733.2

申请日：2013-12-18

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 刘向力 ,  罗政纯 ,  吴凌

IPC: C09K13/04

Abstract: 本发明提供了一种酸性抛光液及其在不同晶体抛光中应用，在含有二氧化铈的抛光液中加入硫酸，实现机械抛光与化学抛光的结合，抛光后所得晶体表面粗糙度非常小，具有更好的光学性能，可以制备出性能更好的光学器件。本发明的抛光液和抛光方法适合不同莫氏硬度的晶体，应用范围广，设备要求低，易于产业化使用。

公开(公告)号：CN104062096A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410301644.4

申请日：2014-06-27

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 刘向力 ,  罗政纯 ,  鲁运朋

IPC: G01M11/02 ,  G01D3/028

Abstract: 本发明提供一种电压补偿温度对晶体光折射率影响的方法，包括以下步骤：在晶体材料完成初步处理后，将晶体置于一个稳定的电场V1中，通过V1给样品晶体施加电压场场强E0；通过光折变率测定仪器检测晶体的光折射率n，光折变率测定仪器将光折射率n反馈给接收处理器R；接收处理器R将折射率n及原材料晶体折射率的理论值n0代入公式，求出Esc的值；再由公式得出补偿电压的值；d是测量晶体电场两极之间的距离，Esc是理论计算出来的所加电场强度。本发明利用补偿电压消除电场条件下温度对光折射率的影响，得到更理想的样品晶体的光折射率与电压之间的关系曲线，即更理想的光折射率。

公开(公告)号：CN103666277A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310698733.2

申请日：2013-12-18

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 刘向力 ,  罗政纯 ,  吴凌

IPC: C09G1/02 ,  B24B29/00

Abstract: 本发明提供了一种酸性抛光液及其在不同晶体抛光中应用，在含有二氧化铈的抛光液中加入硫酸，实现机械抛光与化学抛光的结合，抛光后所得晶体表面粗糙度非常小，具有更好的光学性能，可以制备出性能更好的光学器件。本发明的抛光液和抛光方法适合不同莫氏硬度的晶体，应用范围广，设备要求低，易于产业化使用。