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公开(公告)号：CN108018523B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201711241702.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: C23C14/02 , C23C14/08 , C23C14/34 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/16 , C23C28/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种使用脉冲激光沉积技术生长锆钛酸铅(PZT)纳米环的方法。本发明使用脉冲激光沉积方法，通过精确控制沉积温度、退火温度、退火时间、激光脉冲数、氧气压力等参数，实现了锆钛酸铅(PZT)纳米环的制备。该方法能够制备得到规则排列的锆钛酸铅(PZT)纳米环，并且参数控制简便，重复性高，无有毒害废气排放。本发明为未来高密度铁电存储器件的应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN104762605B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510178232.0
申请日：2015-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO2靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O2氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。生长方法简单易操作，生长VO2(M)纳米线所需温度低，并且可以在非常短的时间内得到大量形貌、结构和长径比优异的纳米线。所得材料可以广泛应用于电阻开关、电池材料、热敏元器件、化学传感器等等。
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公开(公告)号：CN104062096B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410301644.4
申请日：2014-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种电压补偿温度对晶体光折射率影响的方法，包括以下步骤：在晶体材料完成初步处理后，将晶体置于一个稳定的电场V1中，通过V1给样品晶体施加电压场场强E0；通过光折变率测定仪器检测晶体的光折射率 n，光折变率测定仪器将光折射率 n反馈给接收处理器R；接收处理器R将折射率n及原材料晶体折射率的理论值 n0代入公式，求出Esc的值；再由公式得出补偿电压的值；d是测量晶体电场两极之间的距离，Esc是理论计算出来的所加电场强度。本发明利用补偿电压消除电场条件下温度对光折射率的影响，得到更理想的样品晶体的光折射率与电压之间的关系曲线，即更理想的光折射率。
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公开(公告)号：CN103663556B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310676420.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种A相二氧化钒纳米线的制备方法，由于表面活性剂的加入使中间相B可以快速的转变为A相二氧化钒，并形成形貌、长径比优异的A相二氧化钒纳米线，所制得的A相二氧化钒纳米线非常纯而且非常稳定的。该制备方法采用的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，所得纳米线可以广泛用于电池、储氢和光电开关等领域。
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公开(公告)号：CN104090446A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410301617.7
申请日：2014-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明提供了一种应力补偿温度对晶体光折射率影响的方法，在光学器件上加入温度监测系统，温度监测系统实时的监控光学器件的工作温度；然后将温度监测系统实时的监控光学器件的工作温度传回到晶体的控制系统；控制系统通过读出的工作温度值，根据温度对光折变指数的影响的图形中温度T与光折变指数Δn对应的关系，求出器件在该工作温度条件下的光折变系数的值；然后对应于正常情况下晶体的应力σ与光折变指数Δn的对应图像中的光折变指数Δn，求出该光折变指数Δn对应的应力σ值，通过控制系统，在器件上加上相应的应力σ值。通过本发明，能够设计出更精确，更为实用的应力光学器件，使得器件的使用范围更广，其性能更为可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104762605A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510178232.0
申请日：2015-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO2靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O2氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。生长方法简单易操作，生长VO2(M)纳米线所需温度低，并且可以在非常短的时间内得到大量形貌、结构和长径比优异的纳米线。所得材料可以广泛应用于电阻开关、电池材料、热敏元器件、化学传感器等等。
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公开(公告)号：CN103639850A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310687943.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 本发明提供了一种晶体的抛光方法，包括如下步骤：步骤一，准备好晶片，对晶片进行常规抛光处理；步骤二，将抛光好的晶片清洗；步骤三，将清洗后的晶片置于居里温度以下10℃至20℃的保温箱中，保存0.5h至3h后，晶片随箱空冷（在空气氛围中自然冷却）至室温取出。现准备已经通过本方法抛光的LiNbO3、LiTaO3晶片，通过高倍显微镜和SEM（扫描电子显微镜）的观察发现，LiNbO3、LiTaO3晶片表面的缺陷显著减少，进一步的光学验证结果表明，本方法抛光后的LiNbO3、LiTaO3晶片性能分别有5%-12%的提升，作为精密光学器件，即使是细微的变化也会产生巨大的改变，显然5%-12%的性能加成意义是重大的。
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公开(公告)号：CN103666277B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310698733.2
申请日：2013-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: C09K13/04
Abstract: 本发明提供了一种酸性抛光液及其在不同晶体抛光中应用，在含有二氧化铈的抛光液中加入硫酸，实现机械抛光与化学抛光的结合，抛光后所得晶体表面粗糙度非常小，具有更好的光学性能，可以制备出性能更好的光学器件。本发明的抛光液和抛光方法适合不同莫氏硬度的晶体，应用范围广，设备要求低，易于产业化使用。
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公开(公告)号：CN104062096A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410301644.4
申请日：2014-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种电压补偿温度对晶体光折射率影响的方法，包括以下步骤：在晶体材料完成初步处理后，将晶体置于一个稳定的电场V1中，通过V1给样品晶体施加电压场场强E0；通过光折变率测定仪器检测晶体的光折射率n，光折变率测定仪器将光折射率n反馈给接收处理器R；接收处理器R将折射率n及原材料晶体折射率的理论值n0代入公式，求出Esc的值；再由公式得出补偿电压的值；d是测量晶体电场两极之间的距离，Esc是理论计算出来的所加电场强度。本发明利用补偿电压消除电场条件下温度对光折射率的影响，得到更理想的样品晶体的光折射率与电压之间的关系曲线，即更理想的光折射率。
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公开(公告)号：CN103666277A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310698733.2
申请日：2013-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种酸性抛光液及其在不同晶体抛光中应用，在含有二氧化铈的抛光液中加入硫酸，实现机械抛光与化学抛光的结合，抛光后所得晶体表面粗糙度非常小，具有更好的光学性能，可以制备出性能更好的光学器件。本发明的抛光液和抛光方法适合不同莫氏硬度的晶体，应用范围广，设备要求低，易于产业化使用。
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