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公开(公告)号：CN119188017A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411183823.2
申请日：2024-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种InSnBiZnAg高熵合金钎料及其制备方法和应用，所述高熵合金钎料的成分为InSnBiZnAg，其中，各元素的质量百分比分别为In 25～35％，Sn 28～38％，Bi 20～30％，Zn 2～12％，Ag 3～6％。本发明的技术方案的钎料可以在低于85℃的回流温度进行电子器件的焊点互连，解决了高温焊接对热敏感器件的损伤问题，减少热应力引起的翘曲问题，具有低熔点、高力学强度、高服役可靠性以及高性价比等优点，尤其适用于柔性基底电子器件的封装互连需求。
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公开(公告)号：CN118969358A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411119778.4
申请日：2024-08-15
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结高强度铜浆及其制备方法和应用，该铜浆的成分及其质量百分比为表面改性的铜纳米颗粒50‑60wt％、有机载体40‑50wt％，所述铜纳米颗粒通过经过分散剂处理后的Cu(CH3COO)2与还原剂NaBH4反应得到，所述表面改性为采用表面改性剂与铜纳米颗粒混合，进行表面改性；所述分散剂包括吡啶、吡啶甲醇、巯基吡啶、羟乙基吡啶中的至少一种；所述表面改性剂包括甲酸、草酸中的至少一种；所述有机载体包括乙二醇、丙三醇、松油醇、乙酸乙酯中的至少一种。采用此技术方案，可以在低于300℃下焊接得到致密无孔隙的焊接接头，相比于现有技术，在同等的焊接条件下，得到的接头的强度更高。
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公开(公告)号：CN118563161A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411030083.9
申请日：2024-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本申请公开了一种多孔金属铜及其制备方法、应用。一种多孔金属铜的制备方法，包括以下步骤：提供原料，原料的组成包括质量比为（6~10）:（1~3）的氧化铜以及造孔剂，其中造孔剂的粒径为10μm~100μm，氧化铜的粒径为1μm~100 μm，造孔剂的粒径与氧化铜的粒径为（2~100）:1；研磨、压制原料，制备素胚；还原素胚，制备还原胚；去除还原胚中的造孔剂。本申请提供的多孔金属铜的制备方法，通过氧化铜以及造孔剂进行配合后，依次经过压制、还原以及去除造孔剂，根据氧化铜以及造孔剂的尺寸限定以及二者之间的质量比限定后进行配合后获得表面孔径可调节的多孔金属铜。可以根据具体需求制备多孔金属铜材料。
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公开(公告)号：CN117568880A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311297528.5
申请日：2023-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种双连续活性微乳液和纳米多孔铜膜的制备方法，所述双连续活性微乳液的制备方法包括如下步骤：在水中加入铜盐、表面活性剂、硫酸和盐酸，混合后得到水相；水相中，所述铜盐为1‑5mol/L，表面活性剂为0.25‑0.5mol/L；在有机溶剂中加入助表面活化剂，混合后得到有机相；有机相中，助表面活性剂的体积百分比为5～15％；将水相和有机相混合，进行超声处理，得到三相溶液，抽取三相溶液的中间层，得到双连续活性微乳液。采用本发明的技术方案制备的铜膜，制备过程温和，而且残留的软模板容易清除，得到的铜膜在与铜焊盘进行混合烧结的过程中，不仅具有低温回流能力，且焊点的稳定性和可靠性高。
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公开(公告)号：CN117822065A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311487281.3
申请日：2023-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种用于多孔金属制备的无模板乳液镀液的制备方法及其应用，该制备方法包括：步骤S1，将金属盐、酸、离子表面活性剂、辅助表面活性剂与水混合，得到混合溶液；步骤S2，向所述混合溶液中添加造孔剂，进行搅拌分散，得到镀液；所述造孔剂为甲苯、环己烷、丙酮、氯仿、二甲基亚硫酰胺中的至少一种；步骤S3，静置镀液。本发明的技术方案为无模板的镀液，可以实现多孔金属的孔隙率以及韧带宽度可调控，方法简单且经济高效，可控性强，适用范围广，可以制备大面积多孔材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117568884A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311358163.2
申请日：2023-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: C25D3/56 , C23F1/30 , C23F1/44 , H01L23/488 , C25D3/58 , C25D5/48 , C25D5/18 , C25D5/00 , C25D7/00
Abstract: 本发明提供了一种纳米多孔Cu焊盘及其制备方法和应用，该制备方法包括：利用含有复合添加剂的焦磷酸盐体系电镀液在基板或元器件的表面电镀CuZn合金层，得到沉积多孔焊盘前驱体的基板或元器件；其中，所述含有复合添加剂的焦磷酸盐体系电镀液的成分包含铜盐、锌盐、络合剂、酸碱调节剂和复合添加剂，所述络合剂包括焦磷酸钾，所述复合添加剂的成分包括多羟基配体、组氨酸、糖精钠、低酯果胶；将沉积多孔焊盘前驱体的芯片、基板或热沉器件浸泡在腐蚀液中，使其多孔焊盘前驱体转变为纳米多孔Cu焊盘。采用本发明的纳米多孔Cu焊盘，与纳米铜可以在较低温度实现混合烧结，且增强了连接强度，提高了器件受热循环时的可靠性。
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公开(公告)号：CN117206530A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311137506.2
申请日：2023-09-05
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: B22F7/08 , C25D1/08 , C23C8/10 , C23C8/80 , C25D1/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B22F3/10 , B22F1/054 , B22F1/107 , B22F1/052 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法，所述三维多孔泡沫铜的制备方法包括如下步骤：步骤S1，制备泡沫铜；步骤S2，将将泡沫铜在含氧的气氛中加热，使其孔壁表面生成氧化层，得到氧化后的泡沫铜；步骤S3，压缩氧化后的泡沫铜，成致密片状泡沫铜；步骤S4，去除氧化层，留下孔道，得到三维多孔结构的泡沫铜。采用本发明的技术方案得到的泡沫铜的孔壁表面具有若干孔道，杨氏模量低，可解决焊层界面处热膨胀系数失配问题，极大的提高器件在服役过程中经受热循环时的可靠性；降低焊层的杨氏模量，缓解焊层脆硬性，减轻热疲劳，同时能够抵御器件工作时频繁的热冲击，提供可靠的连接强度以抵御物理冲击。
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公开(公告)号：CN119747963A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411659720.9
申请日：2024-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种基于热分解铜盐的自还原铜膏及其制备方法和应用，所述自还原铜膏的成分包括热分解铜盐和有机溶剂，所述热分解铜盐为甲酸铜盐、草酸铜盐、碳酸铜盐、富马酸铜盐、方酸铜盐、美拉酸铜盐或烟酸铜盐中的至少一种；所述有机溶剂为α‑松油醇、乙二醇、聚乙二醇、二乙二醇、三乙二醇或丙二醇中的一种或两种以上的混合物。采用本发明的技术方案，无需外加还原剂，在烧结过程中通过热分解铜盐得到纳米铜颗粒，依靠自还原实现的铜膏烧结连接，铜盐分解释放的还原性气体可有效缓解烧结工艺中铜颗粒的氧化，促进烧结颈形成，通过减少孔隙率和提高机械强度来增强烧结接头的质量；而且烧结工艺灵活，适用于多种不同的制造工艺和条件。
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公开(公告)号：CN118684434A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410637577.7
申请日：2024-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种Bi‑B‑Zn系玻璃银浆及其制备方法和应用，该玻璃银浆包含的成分为：吡啶改性纳米银、五元Bi系玻璃料粉末、载体溶剂、乙酸纤维素、大豆卵磷脂、1‑2丙二醇，所述五元Bi系玻璃料粉末的成分及其摩尔百分比为Bi2O3 35％、H3BO340％‑45％、ZnO 15％、BaO 4％、SrO 1％‑6％；所述吡啶改性纳米银、五元Bi系玻璃料粉末的质量比为0.1～1.5:5。采用本发明的技术方案的玻璃银浆熔点低，在用于钠钙玻璃基片之间的互连时，没有杂质相析出，气密性好，表明了玻璃料与玻璃基板之间的出色键合质量。而且玻璃银浆键合后的连接材料具有高屈服强度和硬度。
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公开(公告)号：CN117187897A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311073488.6
申请日：2023-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种CoSn3‑Sn3Ag复合电镀液及其制备方法和应用，该复合电镀液的组分为CoSn3纳米晶、Sn(CH3SO3)2、Ag盐、助剂和溶剂，其中所述CoSn3纳米晶的浓度为1‑12g/L，Sn(CH3SO3)2的浓度为20‑30g/L，所述Sn(CH3SO3)2与Ag盐的摩尔比为(25‑35)：1；所述助剂包括分散剂、表面活性剂、配位剂、晶粒细化剂、整流剂、pH调节剂。采用本发明的技术方案，电镀液中添加CoSn3纳米晶，有效提高锡帽的润湿性，并降低表面张力而增强沸腾，提高凸点Sn帽焊接质量，提高了Sn帽在服役过程中的可靠性，并提高了锡银共晶接头的整体机械性能。
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