键合界面层的热阻测量分析方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114462273A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210069820.0

    申请日:2022-01-21

    Abstract: 本申请涉及热阻测量技术领域,尤其涉及一种键合界面层的热阻测量分析方法。本申请先在样品键合前,采用激光闪射法分别测量第一半导体材料层和第二半导体材料层的热扩散系数,计算各自的热导率,样品键合后采用激光闪射法得到样品表面的测量温升曲线,然后创建与样品相同结构参数的有限元导热仿真模型,并输入各项材料参数,将“键合界面层热导率”作为待拟合的变量,基于该模型拟合得到相匹配实验条件下的温升曲线,从而得到键合界面层的对应热导率λ0,最后计算得到键合界面热阻Rθ=h0/λ0。本申请具有测试周期短、成本低的特点,而且还可以较为精确地测量分析键合界面层热阻,为改进键合质量和提升器件散热能力提供了测试分析的依据。

Patent Agency Ranking