公开(公告)号：CN113485511B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110755566.5

申请日：2021-07-05

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 王新胜 ,  白春阳 ,  王静

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明涉及一种具有低温度系数的带隙基准电路，其解决了如何改善Brokaw带隙基准电路的性能的技术问题，其在Brokaw带隙基准电路的基础上增加一个放大器从而形成闭环稳定基准电路输出电压。本发明广泛用于为集成电路提供参考电压。

公开(公告)号：CN113485511A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110755566.5

申请日：2021-07-05

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 王新胜 ,  白春阳 ,  王静

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明涉及一种具有低温度系数的带隙基准电路，其解决了如何改善Brokaw带隙基准电路的性能的技术问题，其在Brokaw带隙基准电路的基础上增加一个放大器从而形成闭环稳定基准电路输出电压。本发明广泛用于为集成电路提供参考电压。