-
公开(公告)号：CN118804666A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410892274.X
申请日：2024-07-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/06 , H10N30/088
Abstract: 基于外电场设计调控晶体铁电畴结构的方法，它属于铁电体器件材料技术领域。方法：一、晶体切割后边缘相互垂直且分别沿[100]C、#imgabs0#[011]C方向，在(011)C方向的两面镀金电极，通过电滞回线测试得晶体电畴矫顽场；二、晶体置于夹具中并浸没在硅油里，加热进行直流极化；或不加热进行交流极化。本发明中通过沿设计方向的交流、直流电场实现晶体高密度90°铁电畴构建，构建的畴壁间距为5‑7μm。设备简单，应用广泛且调控方便，是简单便捷的外场调控铁电畴微结构的手段，可根据功能需求通过改变相态与电场形式实现更复杂与高维度的铁电畴可控分布，在压电铁电材料的性能优化、功能设计与多物理效应协同作用中具有应用潜力。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
