公开(公告)号：CN102142609A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010592064.7

申请日：2010-12-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡航 ,  邱朝阳 ,  阎晓莉 ,  苏宏艳 ,  李绍滨 ,  邓新红

IPC: H01Q3/30 ,  H01Q21/00

Abstract: 具有低旁瓣特性的子阵级自适应数字波束形成器，涉及一种子阵级自适应数字波束形成器。本发明为了解决现有的子阵级自适应数字波束形成器旁瓣性能较差的问题。本发明所述形成器由子阵级最优自适应波束形成器、具有方向图控制性能的子阵级自适应波束形成器、加法器和波束形成器组成，所述子阵级最优自适应波束形成器用于生成子阵级最优自适应权向量wopt，所述具有方向图控制性能的子阵级自适应波束形成器用于生成具有方向图控制性能的子阵级自适应权向量wpc，加法器将上述两种形成器的自适应权向量wopt和wpc进行加权求和，而波束形成器用于进行自适应干扰抑制。本发明适用于子阵级自适应数字波束形成领域。

公开(公告)号：CN102064892A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010608994.7

申请日：2010-12-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡航 ,  阎晓莉 ,  徐颖 ,  肖勇 ,  邱朝阳 ,  吴群 ,  张皓

IPC: H04B15/00

Abstract: 子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法，涉及一种子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法。它解决现有的子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法的单脉冲性能较差、远算代价较高的问题。它包括两级干扰抑制：第一级干扰抑制为具有主瓣保形的旁瓣干扰抑制，其方法为：将具有方向图控制性能的子阵级ADBF与主瓣保形相结合，在保持主瓣形状的同时对旁瓣干扰进行抑制；第二级干扰抑制为主瓣干扰抑制，其方法为：采用4通道单脉冲系统进行主瓣干扰抑制；所述4通道单脉冲系统的4通道的含义为4个接收通道分别形成4个波束，即：和波束、俯仰差波束、方位差波束和双差波束。本发明适用于子阵级自适应单脉冲的干扰抑制。