公开(公告)号：CN120058375A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510154844.X

申请日：2025-02-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  郝好全

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/593 ,  C04B35/596 ,  C04B35/622 ,  H05K9/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 一种具有高温吸波承载一体化的碳化硅/氮化硅复合陶瓷的制备方法，它属于高温吸波陶瓷领域。本发明要解决现有技术无法制备高强度碳化硅基高温吸波陶瓷的问题。方法：一、将碳化硅、氮化硅、烧结助剂与水进行球磨混合，然后干燥、破碎研磨并过筛；二、预压及烧结。本发明用于具有高温吸波承载一体化的碳化硅/氮化硅复合陶瓷的制备。

公开(公告)号：CN119977590A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510154845.4

申请日：2025-02-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  郝好全

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622

Abstract: 一种纳米瞬态共晶制备碳化硅纤维碳化硅基复合陶瓷的方法，它属于碳化硅复合陶瓷制备领域。本发明要解决现有技术制备的碳化硅复合陶瓷力学性能较差的问题。方法：一、混合粉体浆料的制备；二、处理碳化硅纤维；三、预浸片及陶瓷粉交替铺设；四、烧结。本发明用于纳米瞬态共晶制备碳化硅纤维碳化硅基复合陶瓷。

公开(公告)号：CN119977589A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510154842.0

申请日：2025-02-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  郝好全

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高纯无添加碳化硅陶瓷的制备方法，它属于碳化硅陶瓷制备领域。本发明要解决现有技术在不引入烧结助剂的情况下，无法制造高强度碳化硅陶瓷的问题。方法：一、级配及浆料的制备；二、预制陶瓷生粉的制备；三、预压成型；四、热压烧结。本发明用于高纯无添加碳化硅陶瓷的制备。