公开(公告)号：CN111592346B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010421696.0

申请日：2020-05-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  田晶鑫 ,  罗蕙佳代 ,  曹璐 ,  唐晓慧 ,  邢苗 ,  张洪军

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷及其制备方法，它涉及一种多离子共掺杂的高铁电性能的铁酸铋基陶瓷及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法合成的铁酸铋陶瓷相纯度差和致密化程度低，进而导致陶瓷漏电流大和铁电极化过小的问题。一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷的化学通式为：Bi1‑xRexFe1‑yByO3；制备方法：一、称料；二、烘干、过筛；三、素坯成型；四、陶瓷烧结。本发明制备的铁酸铋基陶瓷具有高的纯度和致密度，同时漏电流较小，展现了优异的铁电性能。本发明可获得一种高纯高致密的铁酸铋基陶瓷。

公开(公告)号：CN111592346A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010421696.0

申请日：2020-05-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  田晶鑫 ,  罗蕙佳代 ,  曹璐 ,  唐晓慧 ,  邢苗 ,  张洪军

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷及其制备方法，它涉及一种多离子共掺杂的高铁电性能的铁酸铋基陶瓷及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法合成的铁酸铋陶瓷相纯度差和致密化程度低，进而导致陶瓷漏电流大和铁电极化过小的问题。一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷的化学通式为：Bi1-xRexFe1-yByO3；制备方法：一、称料；二、烘干、过筛；三、素坯成型；四、陶瓷烧结。本发明制备的铁酸铋基陶瓷具有高的纯度和致密度，同时漏电流较小，展现了优异的铁电性能。本发明可获得一种高纯高致密的铁酸铋基陶瓷。