一种低成本制备大尺寸氧化镓薄膜的方法

    公开(公告)号:CN117855027A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410009219.1

    申请日:2024-01-04

    Abstract: 本发明一种低成本制备大尺寸氧化镓薄膜的方法,属于氧化镓薄膜制备领域。本发明要解决现有技术制备成本高,生长尺寸小,薄膜生长的参数难以调控的技术问题。本发明方法:用前驱体镓源、溶剂和稳定剂制备溶胶溶液;清洗衬底;旋涂法覆膜;每次旋涂覆膜后,进行薄膜表面热处理;旋涂四层后,进行氧化镓过渡层退火,薄膜旋涂至一定的厚度后进行氧化镓外延层结晶退火。本发明制备的氧化镓薄膜平整度高,尺寸大、均匀性高,尺寸可达四英寸,可根据实际应用环境恶劣程度制备出不同厚度的氧化镓薄膜材料,在日盲紫外光电探测领域具有应用前景。

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