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公开(公告)号：CN117855027A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410009219.1
申请日：2024-01-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明一种低成本制备大尺寸氧化镓薄膜的方法，属于氧化镓薄膜制备领域。本发明要解决现有技术制备成本高，生长尺寸小，薄膜生长的参数难以调控的技术问题。本发明方法：用前驱体镓源、溶剂和稳定剂制备溶胶溶液；清洗衬底；旋涂法覆膜；每次旋涂覆膜后，进行薄膜表面热处理；旋涂四层后，进行氧化镓过渡层退火，薄膜旋涂至一定的厚度后进行氧化镓外延层结晶退火。本发明制备的氧化镓薄膜平整度高，尺寸大、均匀性高，尺寸可达四英寸，可根据实际应用环境恶劣程度制备出不同厚度的氧化镓薄膜材料，在日盲紫外光电探测领域具有应用前景。
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