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公开(公告)号：CN101143706A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710144470.5
申请日：2007-10-19
IPC: B81C5/00
Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体的厚度(t)为5－20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜－0.2dB、反射系数低于－20dB、相移量也具有非常好的线性关系。
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公开(公告)号：CN100586838C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710144470.5
申请日：2007-10-19
IPC: B81C5/00
Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体中部的厚度t为5-20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜-0.2dB、反射系数低于-20dB、相移量也具有非常好的线性关系。
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公开(公告)号：CN1851972A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610010061.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 低激励电压和精确控制相移特性的MEMS毫米波移相器，涉及一种移相器。针对现有的MEMS移相器存在激励电压过高、移相精度偏低的问题，本发明提供一种激励电压低和相移控制精确的MEMS毫米波移相器，它在地线(3)上固定有电感量在10nH以上的电感线圈(8)，电感线圈(8)与地线(3)之间设有绝缘层(7)，所述电感线圈(8)与金属弹簧(6)的一端连接，金属弹簧(6)的另一端与金属桥(4)连接并对金属桥(4)进行支撑，在金属桥(4)下方的信号线(2)的上表面设置有介电常数 ε1为：2≤εr≤20的介质基片(5)。本发明所述移相器不但具有宽频带、低损耗等电气特性，而且进一步降低了激励电压和提高了相位控制精度，并且成本低、体积小，利于推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276950A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810064370.6
申请日：2008-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器，它涉及微机电系统移相器。它解决了现有MEMS移相器存在单桥相移量小、相位精度低的问题。本发明的金属槽形矩形桥(8)覆盖在n个金属桥(5)的上方，金属槽形矩形桥(8)的桥壁下端固定在共面波导(1)上的两根地线(4)上，金属槽形矩形桥(8)顶部的桥梁与共面波导(1)平行。本发明的金属槽形矩形桥覆盖了MEMS金属桥及跨接了两侧的地线，使得电磁波的传输被限制在矩形桥以内，因而降低移相器的辐射损耗，由于信号线和地线之间的耦合度增大，表面电流得到分散，进而降低了传导损耗，减少了相邻器件间的电磁干扰，有效地减小了附加的波导桥尺寸。
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公开(公告)号：CN101159345A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710144428.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 锯齿形共面波导结构的毫米波MEMS移相器，涉及一种小型化毫米波移相器。它解决了现有MEMS移相器存在单桥相移量小、相位精度低的问题。它包括共面波导和n个金属桥，共面波导由基板、信号线、两根地线组成，信号线固定在基板上表面的中间，在信号线的两侧间隔固定有地线，金属桥周期跨在共面波导基体上，每个金属桥的两端分别固定在共面波导上的两根地线上，它还包括n个介质基片，在每个金属桥正下方的信号线的两侧有对称的向内凹陷的锯齿，在所述锯齿对应的信号线上表面固定有介质基片，所述介质基片的介电常数为2～20，厚度t为0.1μm～5μm。本发明可以广泛的应用于射频通信系统以及小型相控阵雷达、相控阵天线等系统中。
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公开(公告)号：CN101246981B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810064152.2
申请日：2008-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，它涉及双频移相器。它解决了现有传统移相器功耗高、插入损耗高、可靠性差、成本高等缺点，还解决了现有同类装置激励电压大、结构复杂、较难控制谐振点的问题。本发明的介质基片(5)的宽度与信号线(2)的宽度相同，信号线(2)沿纵向方向开有n组垂直表面的凹槽，每一组凹槽对应设置在介质基片(5)的下方并至少露出l2长度，每一组凹槽由两个沿横向并行排列的矩形凹槽(7)组成，矩形凹槽(7)之间的距离为W2，每一个矩形凹槽(7)的长度为l1、宽度为G2。本发明结构简单、条理清晰、逻辑严密，仿真结果相对理想，而且加工工艺简单，成本低廉，在两个频率下稳定工作的特点。
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公开(公告)号：CN100566010C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610010061.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 低激励电压和精确控制相移特性的微机电系统毫米波移相器，涉及一种移相器。针对现有的微机电系统移相器存在激励电压过高、移相精度偏低的问题，本发明提供一种激励电压低和相移控制精确的微机电系统毫米波移相器，它在地线(3)上固定有电感量在10nH以上的电感线圈(8)，电感线圈(8)与地线(3)之间设有绝缘层(7)，所述电感线圈(8)与金属弹簧(6)的一端连接，金属弹簧(6)的另一端与金属桥(4)连接并对金属桥(4)进行支撑，在金属桥(4)下方的信号线(2)的上表面设置有介电常数εr为：2≤εr≤20的介质基片(5)。本发明所述移相器不但具有宽频带、低损耗等电气特性，而且进一步降低了激励电压和提高了相位控制精度，并且成本低、体积小，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN101246981A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810064152.2
申请日：2008-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，它涉及双频移相器。它解决了现有传统移相器功耗高、插入损耗高、可靠性差、成本高等缺点，还解决了现有同类装置激励电压大、结构复杂、较难控制谐振点的问题。本发明的介质基片(5)的宽度与信号线(2)的宽度相同，信号线(2)沿纵向方向开有n组垂直表面的凹槽，每一组凹槽对应设置在介质基片(5)的下方并至少漏出l2长度，每一组凹槽由两个沿横向并行排列的矩形凹槽(7)组成，矩形凹槽(7)之间的距离为W2，每一个矩形凹槽(7)的长度为l1、宽度为G2。本发明结构简单、条理清晰、逻辑严密，仿真结果相对理想，而且加工工艺简单，成本低廉，在两个频率下稳定工作的特点。
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