公开(公告)号：CN100586838C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710144470.5

申请日：2007-10-19

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  北京遥感设备研究所

Inventor： 吴群 ,  朱淮城 ,  贺训军 ,  徐颖 ,  傅佳辉 ,  徐国兵 ,  孟繁义 ,  颜覃睿 ,  唐恺

IPC: B81C5/00

Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体中部的厚度t为5-20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜-0.2dB、反射系数低于-20dB、相移量也具有非常好的线性关系。

公开(公告)号：CN101143706A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710144470.5

申请日：2007-10-19

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  北京遥感设备研究所

Inventor： 吴群 ,  朱淮城 ,  贺训军 ,  徐颖 ,  傅佳辉 ,  徐国兵 ,  孟繁义 ,  颜覃睿 ,  唐恺

IPC: B81C5/00

Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体的厚度(t)为5－20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜－0.2dB、反射系数低于－20dB、相移量也具有非常好的线性关系。

公开(公告)号：CN201156574Y

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200820030484.4

申请日：2008-01-08

Applicant: 东南大学 ,  北京遥感设备研究所

Inventor： 殷晓星 ,  朱淮城 ,  郑力昭 ,  孙忠良

IPC: H01P5/12

Abstract: 毫米波高隔离功率合成器涉及一种能够工作在毫米波及其以上频段的输入端口之间高隔离的功率合成器，该合成器包括第一输入传输线(1)、第二输入传输线(2)、隔离传输线(3)和输出传输线(4)；其中：其中：第一输入传输线(1)的一端是第一输入端口(8)，第二输入传输线(2)的一端是第二输入端口(9)，第一输入传输线(1)的另一端与第二输入传输线(2)的另一端相连并在此与输出传输线(4)的一端相连形成三线交汇处(7)，隔离传输线(3)接在第一输入传输线(1)与第二输入传输线(2)之间，该高隔离功率合成器解决了在毫米波或者更高频段的功率合成器由于没有可用的集中参数隔离电阻造成的输入传输线之间隔离不好的问题。