公开(公告)号：CN112244848A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011051491.4

申请日：2020-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王琮 ,  魏宇琛 ,  蒋程鹏

IPC: A61B5/291 ,  A61B5/369

Abstract: 基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，本发明属于先进的微加工技术领域，它要解决柔性MEAs在高时空分辨率下操作，生产效率较低的问题。制备方法：一、对硅衬底进行等离子体清洗；二、在硅衬底表面沉积铝牺牲层；三、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材多次旋涂在铝牺牲层上；四、光刻聚酰亚胺层图案化定型，电感耦合等离子体刻蚀处理；五、通过光刻工艺形成微电极网络和互连板；六、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材旋涂在底层聚酰亚胺上，使用光致抗蚀剂掩蔽晶片，以限定互连线和焊盘；七、去除铝牺牲层。本发明中以6英寸高阻硅片为基片，结合柔性聚酰亚胺可以在单片上大批量生产25个MEAs。记录位置以高时空分辨率紧凑排列。

公开(公告)号：CN112244848B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202011051491.4

申请日：2020-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王琮 ,  魏宇琛 ,  蒋程鹏

IPC: A61B5/291 ,  A61B5/369

Abstract: 基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，本发明属于先进的微加工技术领域，它要解决柔性MEAs在高时空分辨率下操作，生产效率较低的问题。制备方法：一、对硅衬底进行等离子体清洗；二、在硅衬底表面沉积铝牺牲层；三、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材多次旋涂在铝牺牲层上；四、光刻聚酰亚胺层图案化定型，电感耦合等离子体刻蚀处理；五、通过光刻工艺形成微电极网络和互连板；六、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材旋涂在底层聚酰亚胺上，使用光致抗蚀剂掩蔽晶片，以限定互连线和焊盘；七、去除铝牺牲层。本发明中以6英寸高阻硅片为基片，结合柔性聚酰亚胺可以在单片上大批量生产25个MEAs。记录位置以高时空分辨率紧凑排列。