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公开(公告)号:CN108034866B
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201810059357.5
申请日:2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法,它涉及一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法。本发明是要解决常规方法增强体添加含量受限的问题。高性能氮化硅铝基复合材料按体积分数由5%~45%Si3N4增强体和55%~95%铝基体制成。方法:一、计算粉体质量并称量;二、粉体球磨混合;三、粉体过筛;四、预压;五、在保护气氛下进行放电等离子体烧结(SPS)。本发明用于制备铝基复合材料。
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公开(公告)号:CN107009045A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201710363564.5
申请日:2017-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法,它涉及一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法。本发明是要解决Sn‑58Bi钎料中硬脆性质的富Bi相所导致的合金延展性能降低,以及重熔服役和时效过程中,过厚的金属间化合物导致钎焊接头可靠性能变差的问题。方法:一、制备石墨烯/氧化铈复合增强体;二、增强体与钎料基体球磨混合;三、向增强体与钎料中加入助焊膏搅拌均匀;四、将上述混合物置于坩埚中于180℃下加热,取出倒入磨具冷却得到复合钎料块。本发明的复合钎料细化了焊点微观组织,大大提高了钎料的硬度,降低了钎料与基体界面的金属间化合物厚度,从而提高焊点的剪切强度。本发明用于制备Sn‑Bi系复合钎料。
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公开(公告)号:CN107009045B
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201710363564.5
申请日:2017-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法,它涉及一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法。本发明是要解决Sn‑58Bi钎料中硬脆性质的富Bi相所导致的合金延展性能降低,以及重熔服役和时效过程中,过厚的金属间化合物导致钎焊接头可靠性能变差的问题。方法:一、制备石墨烯/氧化铈复合增强体;二、增强体与钎料基体球磨混合;三、向增强体与钎料中加入助焊膏搅拌均匀;四、将上述混合物置于坩埚中于180℃下加热,取出倒入磨具冷却得到复合钎料块。本发明的复合钎料细化了焊点微观组织,大大提高了钎料的硬度,降低了钎料与基体界面的金属间化合物厚度,从而提高焊点的剪切强度。本发明用于制备Sn‑Bi系复合钎料。
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公开(公告)号:CN108034866A
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201810059357.5
申请日:2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法,它涉及一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法。本发明是要解决常规方法增强体添加含量受限的问题。高性能氮化硅铝基复合材料按体积分数由5%~45%Si3N4增强体和55%~95%铝基体制成。方法:一、计算粉体质量并称量;二、粉体球磨混合;三、粉体过筛;四、预压;五、在保护气氛下进行放电等离子体烧结(SPS)。本发明用于制备铝基复合材料。
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