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公开(公告)号：CN120018637A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510152930.7
申请日：2025-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明为了调节近场热光伏系统的辐射传输光谱分布，使其与半导体带隙间形成较好的匹配，同时减少热光伏电池表面声子极化激元的潜在影响，从而提出一种含非极性光子晶体薄膜的近场热光伏系统。涉及热光伏技术领域。本发明通过在热光伏电池表面覆盖非极性二维光子晶体的表面结构，选择纳米方格光栅作为硅中间层的图案。确定出影响纳米结构均匀特性的两个关键参数周期长度和填充率，通过调节参数实现热辐射传输光谱调节和辐射光谱与半导体电池带隙间的良好匹配。采用未掺杂的硅作为光子晶体介质材料，在极性介质与真空间隙间增加非极性的中间层，抑制表面模式的激发，减少附加辐射吸收损失。本发明适用于近场热光伏系统的输出功率与转换效率提升。
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