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公开(公告)号:CN103813702B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201410052268.X
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 双层交错正交相切圆环及内切子圆环阵列电磁屏蔽光学窗属于电磁屏蔽技术领域,电磁屏蔽光学窗由两层金属网栅旋转交错排列加载于光窗两侧构成,每层金属网栅均由相同直径外切连通的金属圆环按正交排列分布密接排布构成,每个圆环内具有与该圆环内切连通的子圆环;邻基本圆环连接处和基本圆环与其内切连通子圆环连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互连通导电。通过双层网栅交错角的选取,本发明的金属网栅结构可显著的降低网栅高级衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小;选取合适的基片厚度,可获得良好的电磁屏蔽效率。
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公开(公告)号:CN103763898A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201410051498.4
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 基于多周期主从嵌套圆环正交阵列的电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,由基本圆环、子圆环、次级子圆环、填充圆环、调制圆环以及调制子圆环构成多周期主从嵌套圆环阵列的金属网栅;其中,基本圆环构成二维正交外切连通阵列,调制圆环构成二维正交相离阵列,调制圆环与基本圆环外切连通,基本圆环内设有与其内切连通的子圆环和填充圆环,子圆环内设有与其内切连通的次级子圆环,调制圆环内设有与其内切连通的调制子圆环。在圆环相切连通连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。本发明的金属网栅结构可显著降低网栅高级衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小。
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公开(公告)号:CN103763898B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201410051498.4
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 基于多周期主从嵌套圆环正交阵列的电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,由基本圆环、子圆环、次级子圆环、填充圆环、调制圆环以及调制子圆环构成多周期主从嵌套圆环阵列的金属网栅;其中,基本圆环构成二维正交外切连通阵列,调制圆环构成二维正交相离阵列,调制圆环与基本圆环外切连通,基本圆环内设有与其内切连通的子圆环和填充圆环,子圆环内设有与其内切连通的次级子圆环,调制圆环内设有与其内切连通的调制子圆环。在圆环相切连通连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。本发明的金属网栅结构可显著降低网栅高级衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小。
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公开(公告)号:CN103763902A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201410051545.5
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 基于四外切正交圆环及子圆环单元的电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,由相同直径的金属圆环作为基本圆环组成四外切正交圆环单元并按二维正交排列密接排布构成金属网栅;四外切正交圆环单元由四个基本圆环按二维正交排列且外切连通组成,其基本圆环圆心连线方向与四外切正交圆环单元二维正交排列的阵列方向夹角为15°或75°,相邻四外切正交圆环单元的相邻基本圆环外切连通,基本圆环内设有与其内切连通的子圆环;在圆环相切连通的连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。本发明的金属网栅结构可显著的降低网栅高级次衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小。
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公开(公告)号:CN103763902B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201410051545.5
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 基于四外切正交圆环及子圆环单元的电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,由相同直径的金属圆环作为基本圆环组成四外切正交圆环单元并按二维正交排列密接排布构成金属网栅;四外切正交圆环单元由四个基本圆环按二维正交排列且外切连通组成,其基本圆环圆心连线方向与四外切正交圆环单元二维正交排列的阵列方向夹角为15°或75°,相邻四外切正交圆环单元的相邻基本圆环外切连通,基本圆环内设有与其内切连通的子圆环;在圆环相切连通的连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。本发明的金属网栅结构可显著的降低网栅高级次衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小。
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公开(公告)号:CN103813701B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201410052266.0
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 双层三角及正交混合分布的相切圆环阵列电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,电磁屏蔽光窗由两层金属网栅旋转交错排列加载于光窗两侧构成,每层金属网栅均由相同直径外切连通的金属圆环作为基本圆环按等边三角和二维正交混合排列密接排布构成,每个基本圆环内设有与其内切连通、金属的子圆环,两者共同构成二维网栅阵列结构的基本单元;在圆环相切连通的连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。通过双层网栅交错角的选取,本发明的金属网栅结构可显著降低网栅高级衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小;选取合适的基片厚度,可获得良好的电磁屏蔽效率。
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公开(公告)号:CN103763908B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201410051749.9
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 基于多周期金属圆环嵌套阵列的电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,一组同心金属圆环对和另一不同直径金属圆环分别按等边三角形排列密接排布构成二维金属网栅并交叉分布加载于光窗透明基片表面;同心圆环对与其内部含有的内切连通子圆环构成基本圆环阵列,另一直径圆环构成调制圆环阵列,基本圆环阵列与调制圆环阵列共同组成多周期金属圆环嵌套阵列。在圆环相切连通的连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。通过嵌套圆环阵列中各圆环直径与位置关系的布置,本发明的金属网栅结构可显著的降低网栅高级次衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小。
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公开(公告)号:CN103763896B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201410051496.5
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 双层交错多周期金属圆环嵌套阵列的电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,电磁屏蔽光窗由两层金属网栅旋转交错排列加载于光窗透明基片或衬底两侧构成,每层金属网栅均由一组同心金属圆环对和另一不同直径金属圆环分别按等边三角形排列密接排布构成并交叉分布加载于光窗透明基片或衬底表面,同一直径相邻圆环外切连通;同心圆环对中外圆环作为基本圆环其内部含有与其内切连通、金属的子圆环。在圆环相切连通的连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。通过双层网栅交错角的选取,本发明的金属网栅结构可显著降低网栅高级衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小。
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公开(公告)号:CN103813702A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201410052268.X
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 双层交错正交相切圆环及内切子圆环阵列电磁屏蔽光学窗属于电磁屏蔽技术领域,电磁屏蔽光学窗由两层金属网栅旋转交错排列加载于光窗两侧构成,每层金属网栅均由相同直径外切连通的金属圆环按正交排列分布密接排布构成,每个圆环内具有与该圆环内切连通的子圆环;邻基本圆环连接处和基本圆环与其内切连通子圆环连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互连通导电。通过双层网栅交错角的选取,本发明的金属网栅结构可显著的降低网栅高级衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小;选取合适的基片厚度,可获得良好的电磁屏蔽效率。
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公开(公告)号:CN103813701A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201410052266.0
申请日:2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 双层三角及正交混合分布的相切圆环阵列电磁屏蔽光窗属于电磁屏蔽技术领域,电磁屏蔽光窗由两层金属网栅旋转交错排列加载于光窗两侧构成,每层金属网栅均由相同直径外切连通的金属圆环作为基本圆环按等边三角和二维正交混合排列密接排布构成,每个基本圆环内设有与其内切连通、金属的子圆环,两者共同构成二维网栅阵列结构的基本单元;在圆环相切连通的连接处,通过线条交叠或设置保证金属环切点间可靠电联接的金属,确保所有圆环相互导电。通过双层网栅交错角的选取,本发明的金属网栅结构可显著降低网栅高级衍射光强分布的不均匀性,使衍射造成的杂散光分布更加均匀,对成像影响更小;选取合适的基片厚度,可获得良好的电磁屏蔽效率。
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