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公开(公告)号：CN119997795A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510049472.4
申请日：2025-01-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法，属于忆阻器制备技术领域。所述方法为：上层微通道采用紫外光刻技术制备；下层微通道为通过紫外光刻在硅片表面制备柔性掩膜版，非曝光区域的光刻胶溶解脱落，暴露出硅基底，在硅基底加工得到微通道结构，将光刻胶全部去除后，得带有微通道的硅基底；纳米铣削加工由原子力显微镜系统及二维压电陶瓷促动器实现；将带有凸微通道的硅片作为模板进行转印后，得带有微通道的PDMS片；将带有纳通道阵列的硅片作为模板进行二次转印得带有纳米通道和微米通道的PDMS片；将两个PDMS片通过氧等离子体处理的方式进行键合。本发明方法流程简单、快速高效、结构稳定、一致性好且可大量复制、生物兼容性好。
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