公开(公告)号：CN102659416A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210144706.6

申请日：2012-05-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  曹文萍 ,  费维栋 ,  徐丹

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/475 ,  H01L41/187

Abstract: 晶须状钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡压电陶瓷的制备方法，它涉及一种压电陶瓷的制备方法。本发明解决了固相合成法烧结后的陶瓷晶粒较大且致密度较差的技术问题。本方法如下：一、制备NBT-KBT胶体；二、制备BT胶体；三、制备NBT-KBT-BT胶体；四、将NBT-KBT-BT胶体放入坩埚中，点燃胶体，得到粉末，五、将粉末预烧后压成陶瓷片；六、将陶瓷片在1140℃～1160℃，保温2h～4h，得到钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡压电陶瓷。本发明制备钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡压电陶瓷的方法可获得超细、均匀性好、纯度高的粉体；可获得致密度较高、具有晶须状的压电陶瓷。

公开(公告)号：CN103979957B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410188413.7

申请日：2014-05-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  曹文萍 ,  费维栋

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种提高退极化温度的钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡三元陶瓷的制备方法，它涉及一种三元系陶瓷的制备方法。本发明要解决现有三元系压电陶瓷在准同型相界附近退极化温度较低的问题。本发明的制备方法如下：a)利用溶胶凝胶法制备NBT-KBT胶体，将BT纳米线加入到NBT-KBT胶体中，形成NBT-KBT-BT胶体；b)利用燃烧法点燃胶体，燃烧成超细粉末；c)将超细粉末冷压成片，在1140℃-1160℃温度下烧结成致密的陶瓷。本发明利用溶胶凝胶燃烧法制备出致密度较高的退极化温度明显提高的钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡三元系陶瓷，该方法在其他陶瓷的制备中从未出现。本发明应用于制备陶瓷领域。

公开(公告)号：CN103979957A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410188413.7

申请日：2014-05-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  曹文萍 ,  费维栋

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种提高退极化温度的钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡三元陶瓷的制备方法，它涉及一种三元系陶瓷的制备方法。本发明要解决现有三元系压电陶瓷在准同型相界附近退极化温度较低的问题。本发明的制备方法如下：a)利用溶胶凝胶法制备NBT-KBT胶体，将BT纳米线加入到NBT-KBT胶体中，形成NBT-KBT-BT胶体；b)利用燃烧法点燃胶体，燃烧成超细粉末；c)将超细粉末冷压成片，在1140℃-1160℃温度下烧结成致密的陶瓷。本发明利用溶胶凝胶燃烧法制备出致密度较高的退极化温度明显提高的钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡三元系陶瓷，该方法在其他陶瓷的制备中从未出现。本发明应用于制备陶瓷领域。

公开(公告)号：CN117976738A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410089865.3

申请日：2024-01-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  许诺 ,  曹文萍

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/368 ,  H01L21/477

Abstract: 具有大自建电场的异质结复合薄膜材料及其制备方法，本发明目的是为了解决应用于自供电探测器的薄膜需要在其内部构建较大的自建电场的问题。本发明具有大自建电场的异质结复合薄膜材料的化学通式为(LaEuYCr)1‑xBixFeO3/Zn0.88(Fe0.06Li0.06)O，该异质结复合薄膜材料是在(LaEuYCr)1‑xBixFeO3高熵钙钛矿薄膜上复合叠加Zn0.88(Fe0.06Li0.06)O薄膜，复合成异质结后形成自建电场。该异质结复合薄膜通过前驱体多次旋涂、预烧和晶化处理制备而成。本发明制备的具有大的自建电场的异质结复合薄膜材料内部具有一个较大的定向自建电场，可应用于自供电的光电探测器中。

公开(公告)号：CN111620690A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010519389.6

申请日：2020-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  曹文萍 ,  费维栋

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 一种利用构建离子对获得大应变小滞后性的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法，它涉及无铅压电陶瓷领域。本发明要解决现有铁电陶瓷应变滞后性严重的问题。本发明陶瓷制备：a)利用固相球磨法制备施主(Nb2O5)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.75Sr0.25Ti(1-x)O3-0.5xNb2O5陶瓷粉体；b)在850～950℃温度下预烧粉体；c)将粉末冷压成片，在1140℃-1160℃温度下烧结成致密陶瓷。本发明通过在准同型相区的0.75BNT-0.25ST陶瓷进行施主掺杂，在陶瓷晶格内形成Ti3+-Nb5+离子对，利用离子对形成偶极矩使畴翻转可逆制备出应变大滞后小的铁电陶瓷，本发明应用于无铅铁电陶瓷领域。

公开(公告)号：CN102627452A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210141983.1

申请日：2012-05-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  费维栋 ,  徐丹 ,  曹文萍

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 织构化BiFeO3陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷的制备方法。本发明解决了现有方法制备的BiFeO3陶瓷致密性差的问题。本方法如下：一、制备Fe(NO3)3溶胶；二、制备BiFeO3溶胶；三、制备纳米粉末；四、制备陶瓷片；五、将陶瓷片在800℃～850℃保温2h～6h，即得织构化BiFeO3陶瓷。本方法有效解决了传统固相合成球磨法会打碎Bi2O3纳米棒，无法形成织构的弊端，本发明利用Bi2O3纳米棒的取向性，采用溶胶凝胶燃烧法制备织构化BiFeO3陶瓷，利用陶瓷晶粒的定向排列，在较低的陶瓷烧结温度下，获得致密化的BiFeO3陶瓷。