公开(公告)号：CN116914014A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310818982.4

申请日：2023-07-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  刘东昊 ,  方铉 ,  曹伽牧 ,  刘思航 ,  王金忠 ,  曲平

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: 一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法，属于红外成像探测技术领域，所述探测器包括衬底、WSe2/Bi2Te3异质结和铬金电极，衬底上磁控溅射沉积WSe2/Bi2Te3异质结，铬金电极设置在WSe2/Bi2Te3异质结上。本发明利用在衬底上用磁控溅射技术沉积的WSe2/Bi2Te3异质结薄膜材料，制备了红外双波段探测器，短波红外探测响应峰位于1μm处，长波红外探测响应峰位于12.5μm处，材料制备工艺简单，以较低成本、实现了室温红外短、长波双波段自供能探测。

公开(公告)号：CN116779711A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310818983.9

申请日：2023-07-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  刘思航 ,  方铉 ,  曹伽牧 ,  刘东昊 ,  王金忠 ,  曲平

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0328

Abstract: 本发明公开了一种室温下工作的中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括衬底、Bi2Te3纳米材料层和铬金电极，衬底上旋涂Bi2Te3纳米材料层，铬金电极设置在Bi2Te3纳米材料层上。制备步骤如下：步骤一、利用溶剂热技术生长Bi2Te3六角形纳米材料；步骤二、在生长的Bi2Te3六角形纳米材料旋涂于衬底上；步骤三、利用磁控溅射技术在Bi2Te3层表面沉积铬金电极。本发明制备了室温中长波红外探测器，长波红外探测器的响应峰10μm以上，实现了室温中长波红外探测材料结构。