公开(公告)号：CN112885610A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110042928.6

申请日：2021-01-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王振波 ,  孔晴晴 ,  赵磊 ,  隋旭磊 ,  阙兰芳 ,  玉富达

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 一种DSSC用新型光阳极及其制备方法，所述新型光阳极可以表示为Bi1‑xAxFe1‑yByO3/TiO2/FTO，其中：0≤x＜1，A＝La，Ce，Pr，Nd，0≤y＜1，B＝Al，Cr，Co，Ni。其制备方法如下：采用涂抹法制备TiO2/FTO光阳极基体，采用水热合成的方法制备Bi1‑xAxFe1‑yByO3粉体，在TiO2/FTO光阳极基体上采用涂抹法制备Bi1‑xAxFe1‑yByO3/TiO2/FTO光阳极。本发明采用TiO2光阳极和Bi1‑xAxFe1‑yByO3光阳极形成级联结构，利用Bi1‑xAxFe1‑yByO3对长波长太阳光的吸收TiO2对太阳光吸收的不足，同时两者之间的p‑n异质结界面可提高电子‑空穴的分离传输效率，减少载流子复合，提高DSSC光电转换效率。制备Bi1‑xAxFe1‑yByO3粉体时增加一步急速冷却关键步骤可以减少杂相的生成。本发明工艺简单、制备成本低，性能提升明显可靠。

公开(公告)号：CN112885610B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110042928.6

申请日：2021-01-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王振波 ,  孔晴晴 ,  赵磊 ,  隋旭磊 ,  阙兰芳 ,  玉富达

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 一种DSSC用新型光阳极及其制备方法，所述新型光阳极可以表示为Bi1‑xAxFe1‑yByO3/TiO2/FTO，其中：0≤x＜1，A＝La，Ce，Pr，Nd，0≤y＜1，B＝Al，Cr，Co，Ni。其制备方法如下：采用涂抹法制备TiO2/FTO光阳极基体，采用水热合成的方法制备Bi1‑xAxFe1‑yByO3粉体，在TiO2/FTO光阳极基体上采用涂抹法制备Bi1‑xAxFe1‑yByO3/TiO2/FTO光阳极。本发明采用TiO2光阳极和Bi1‑xAxFe1‑yByO3光阳极形成级联结构，利用Bi1‑xAxFe1‑yByO3对长波长太阳光的吸收TiO2对太阳光吸收的不足，同时两者之间的p‑n异质结界面可提高电子‑空穴的分离传输效率，减少载流子复合，提高DSSC光电转换效率。制备Bi1‑xAxFe1‑yByO3粉体时增加一步急速冷却关键步骤可以减少杂相的生成。本发明工艺简单、制备成本低，性能提升明显可靠。