公开(公告)号：CN107098703B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201710261870.8

申请日：2017-04-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王玉金 ,  赵彦伟 ,  张翰超 ,  陈磊 ,  姚绵懿 ,  周玉

IPC: C04B35/58

Abstract: 本发明公开一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料及其制备方法，按以下步骤进行：第一步，将TiO2粉为66.6％～68.1％，B4C粉为14％～16.5％，C粉为17％～17.9％按质量百分比混合；第二步，将所述混合粉进行研磨，得到研磨后粉体；第三步，将所述研磨后粉体装入坩埚中，进行还原处理，得到TiB2‑TiC复合粉体；第四步，将所述复合粉体进行烧结，得到烧结体；第五步，将所述烧结体脱模，得到的一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料。TiB2‑TiC陶瓷复合材料制备过程合成的温度低，能耗小，工序得到极大简化且制备得到的陶瓷复合材料致密度高，TiB2和TiC两相分布均匀，结构紧凑，晶粒尺寸细小。

公开(公告)号：CN107098703A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710261870.8

申请日：2017-04-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王玉金 ,  赵彦伟 ,  张翰超 ,  陈磊 ,  姚绵懿 ,  周玉

IPC: C04B35/58

Abstract: 本发明公开一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料及其制备方法，按以下步骤进行：第一步，将TiO2粉为66.6％～68.1％，B4C粉为14％～16.5％，C粉为17％～17.9％按质量百分比混合；第二步，将所述混合粉进行研磨，得到研磨后粉体；第三步，将所述研磨后粉体装入坩埚中，进行还原处理，得到TiB2‑TiC复合粉体；第四步，将所述复合粉体进行烧结，得到烧结体；第五步，将所述烧结体脱模，得到的一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料。TiB2‑TiC陶瓷复合材料制备过程合成的温度低，能耗小，工序得到极大简化且制备得到的陶瓷复合材料致密度高，TiB2和TiC两相分布均匀，结构紧凑，晶粒尺寸细小。

公开(公告)号：CN105198450B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201510689625.8

申请日：2015-10-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈磊 ,  王玉金 ,  姚绵懿 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/645 ,  C04B35/583

Abstract: 氮化硼复相陶瓷侧封板低温热压烧结方法，它涉及一种氮化硼复相陶瓷侧封板烧结方法。本发明为了解决现有氮化硼复相陶瓷制备中烧结温度高和低熔点烧结助剂过分残留，导致力学性能降低的问题。本方法如下：一、制备的复合烧结助剂粉末；二、制备氮化硼复合粉末；三、将氮化硼复合粉末装入热压模具中，采用三个阶段进行烧结，即得氮化硼复相陶瓷侧封板；本发明在1300℃～1400℃热压烧结制备的氮化硼复相陶瓷侧封板的致密度可达到96％以上，氮化硼复相陶瓷材料晶粒细小并具有优异的综合力学性能，其抗弯强度值可达到300MPa。本发明属于复相陶瓷侧封板的制备领域。

公开(公告)号：CN105198450A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510689625.8

申请日：2015-10-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈磊 ,  王玉金 ,  姚绵懿 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/645 ,  C04B35/583

Abstract: 氮化硼复相陶瓷侧封板低温热压烧结方法，它涉及一种氮化硼复相陶瓷侧封板烧结方法。本发明为了解决现有氮化硼复相陶瓷制备中烧结温度高和低熔点烧结助剂过分残留，导致力学性能降低的问题。本方法如下：一、制备的复合烧结助剂粉末；二、制备氮化硼复合粉末；三、将氮化硼复合粉末装入热压模具中，采用三个阶段进行烧结，即得氮化硼复相陶瓷侧封板；本发明在1300℃～1400℃热压烧结制备的氮化硼复相陶瓷侧封板的致密度可达到96％以上，氮化硼复相陶瓷材料晶粒细小并具有优异的综合力学性能，其抗弯强度值可达到300MPa。本发明属于复相陶瓷侧封板的制备领域。