一种半导体材料掺杂浓度与电阻率的测量方法及装置

    公开(公告)号:CN118376606A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410422575.6

    申请日:2024-04-09

    Abstract: 本申请提出了一种半导体材料掺杂浓度与电阻率的测量方法,包括:调节两台激光器使激光器产生的激光光斑完全覆盖样件,调节分光片使单点近红外探测器探测到激光;控制两台激光器输出强度调制激光激励样件产生载流子辐射发光信号,并采集调制激光的光强幅值I0、样件产生的载流子辐射发光信号的幅值AmI和样件产生的载流子辐射发光信号的相位Ph I;并利用公式计算掺杂浓度ND及各像素点电阻率ρ。解决目前半导体材料电阻率测量存在成像检测效率低、易损伤材料表面、横向分辨率不高等问题,提供一种半导体材料掺杂浓度与电阻率的非接触光学成像测量方法与装置。

    一种多参量监控激光头
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219727214U

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202320136995.9

    申请日:2023-02-07

    Abstract: 本实用新型公开了一种多参量监控激光头,包括激光头本体,所述激光头本体从上到下依次设有扩束镜模块、准直镜模块、聚焦镜模块和送粉喷嘴,所述激光头本体还包括参量监控组件,所述参量监控组件包括分光镜模块、拐臂和光学监控设备,所述分光镜模块内设有呈倾斜设置的分光镜,所述分光镜模块具有主光通道和分光通道,所述分光通道出光侧连接有拐臂,所述拐臂的折弯处设有呈倾斜设置的反射镜,所述拐臂的出光侧与所述光学监控设备的入光侧连接,所述分光镜模块设于所述聚焦镜模块和所述送粉喷嘴之间。本实用新型可以实时监控记录熔覆过程中的参数,提高激光熔融沉积增材制造的加工效率。

    一种激光粉床熔融增材制造用光学监测系统

    公开(公告)号:CN218799132U

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202223185027.1

    申请日:2022-11-30

    Abstract: 本实用新型提出一种激光粉床熔融增材制造用光学监测系统。所述监测系统包括光学相机平台和光学监测补光装置,所述光学相机平台包括一个相机安装板、一个俯仰角锁止器、一个L型支臂和多个螺栓;所述光学监测补光装置包括六个补光灯罩、一个补光环形灯架和六个灯座。本实用新型中的光学平台为LPBF外置设备,易于更换滤光片且拆卸方便。本实用新型光学补光装置中光源采用环形布置,环形中心位置与激光光源同心,在不影响激光扫描光路的前提下缺陷本影面积小、传感器图像特征谱灰度失真小。

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