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公开(公告)号：CN116481746A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310486486.3
申请日：2023-04-28
Applicant: 同济大学
IPC: G01M5/00
Abstract: 本发明涉及一种识别风电叶片属性参数的测试方法，该方法包括：通过静力加载测试，获取在加载力作用下叶片各截面的弯矩、挠度以及应变，建立静力测试弯矩和应变之间的关系；根据结构力学中弯矩、挠度以及截面刚度三者的关系，通过数学求解，获得变截面叶片各截面的刚度；通过疲劳加载测试，获取叶片各截面的振幅、应变以及频率等参数，建立疲劳测试中的应变和振幅之间的关系，根据振动理论，反推叶片的质量分布。与现有发明相比，本发明通过叶片静力测试和疲劳测试获取叶片实际属性参数，对理论模型存在的误差进行校准，并以此为依据进行叶片疲劳测试弯矩匹配和加载控制，有效降低疲劳测试的载荷误差，提高叶片测试准确性。
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公开(公告)号：CN110713350A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911008246.2
申请日：2019-10-22
Applicant: 同济大学
IPC: C03C17/245
Abstract: 本发明涉及一种一维纳米二氧化硅的制备方法，包括以下步骤：将硅源和氨水分别盛放在两个容器中备用；准备载玻片为生长衬底，清洗、干燥后备用；将盛放硅源和氨水的容器和干燥后的载玻片置于真空干燥器中，密封并抽真空，将真空干燥器置于恒温箱中，恒温保存；将真空干燥器从恒温箱中取出，冷却至室温，将载玻片从真空干燥器中取出，载玻片表面的薄膜即为一维纳米二氧化硅；制备得到的一维纳米二氧化硅由直径为46～53nm的非晶态二氧化硅组成，并且该一维纳米二氧化硅具有疏水性。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单、对设备要求低、合成效率高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117053697A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310883149.8
申请日：2023-07-19
Applicant: 同济大学
IPC: G01B11/03
Abstract: 本发明涉及一种构件三维坐标测量装置及测量方法，该测量装置主要由固定基台、两自由度转台、测距拍摄装置、控制器和标定板结构组成；该固定基台包括固定底板，该固定底板可拆卸地安装在构件上；该两自由度转台设置于所述固定底板上，且该两自由度转台包括工作平台与该工作平台连接的旋转装置，该旋转装置用于实现工作平台方位方向及俯仰方向的旋转；该测距拍摄装置包括工业相机和激光测距仪；该标定板结构包括固定器和标定板，该固定器用于将标定板固定在临近所述构件的固定结构上；本发明具有安装简单、可跟随测量、测量范围大、测量精度高、应用范围广、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN116878788A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310883127.1
申请日：2023-07-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种构件全尺寸试验挠度测量装置及测量方法，该装置主要由并联工作台、激光测距阵列、激光接收阵列、惯性传感器和控制器组成；该并联工作台包括底座、电动推杆和工作平台，该电动推杆的上端与工作平台通过球铰连接，下端与底座通过万向节相连接，该激光测距阵列包括三个激光测距仪，且各激光测距仪均通过夹角调节器连接在工作平台的上表面，该激光接收阵列包括三个激光接收器，且每个激光接收器均包括固定板和光敏电阻，该固定板上还设置有与光敏电阻相连接的处理器，该惯性传感器可以检测激光测距阵列位姿，该控制器分别与激光测距阵列、惯性传感器、电动推杆和处理器通信连接；本发明具有测量精度高、安装简便、响应速度快等优点。
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公开(公告)号：CN115165281A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210713412.4
申请日：2022-06-22
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种风机叶片双轴疲劳加载解耦控制方法，包括：激振设备对叶片施加一定幅值激励；采集叶片运动时的原始信号；对水平原始信号通过解耦方法进行分解，得到水平挥舞信号分量信号和水平摆振信号分量；对竖直原始信号通过解耦方法进行分解，得到竖直挥舞信号分量信号和竖直摆振信号分量；激振设备选取水平摆振信号分量信号作为反馈信号对叶片的水平方向实施闭环加载；激振设备选取竖直挥舞信号分量信号作为反馈信号对叶片的竖直方向实施闭环加载；在闭环加载过程中，激振设备在反馈信号达到最大值时施加激励，激振频率接近于反馈信号的频率。与现有技术相比，本发明能够对叶片运动的固定频率进行有效的提高，缩短疲劳测试时间。
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公开(公告)号：CN110713350B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911008246.2
申请日：2019-10-22
Applicant: 同济大学
IPC: C03C17/245
Abstract: 本发明涉及一种一维纳米二氧化硅的制备方法，包括以下步骤：将硅源和氨水分别盛放在两个容器中备用；准备载玻片为生长衬底，清洗、干燥后备用；将盛放硅源和氨水的容器和干燥后的载玻片置于真空干燥器中，密封并抽真空，将真空干燥器置于恒温箱中，恒温保存；将真空干燥器从恒温箱中取出，冷却至室温，将载玻片从真空干燥器中取出，载玻片表面的薄膜即为一维纳米二氧化硅；制备得到的一维纳米二氧化硅由直径为46～53nm的非晶态二氧化硅组成，并且该一维纳米二氧化硅具有疏水性。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单、对设备要求低、合成效率高等优点。
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公开(公告)号：CN116625610A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310520122.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 同济大学
IPC: G01M5/00 , G06T7/00 , G06F30/23 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种识别风电叶片属性参数的测试方法，包括以下步骤：S1：风机叶片加载，计算叶片各个截面的弯矩分布，测量叶片各个截面对应的应变和挠度，建立叶片各个截面的弯矩与应变的对应关系；S2：叶片进行全尺寸疲劳加载试验，并测量叶片的模态信息，得到叶片的共振频率和叶片各个截面的振幅，并建立叶片各个截面的振幅与应变的对应关系；S3：根据叶片各个截面的弯矩和挠度，求取叶片各个截面的截面刚度；S4：通过测量叶片各个截面的振幅，得到叶片各个截面的对应的弯矩，计算叶片每段的质量。与现有技术相比，本发明具有准确高效等优点。
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