公开(公告)号：CN115274238A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210840729.4

申请日：2022-07-18

Applicant: 同济大学

Inventor： 陆伟 ,  陆顺达

IPC: H01F1/03 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种具有高磁能积的MnBiAl永磁合金及其制备方法，MnBiAl永磁合金的组成为Mn55Bi45‑xAlx，其中0＜x≤4。制备方法为：采用真空感应熔炼技术制备了合金锭，随后在290℃下退火12小时。本发明通过掺杂适量的Al元素，使其占据在MnBi晶体Bi原子处以及空位处，优化其晶格参数，调控其Mn‑Mn之间铁磁性耦合，提高磁晶各向异性，最终调节其永磁性能，测试后发现合金材料的最大磁能积得到了大大提升；制备过程简便易行，极具应用前景。

公开(公告)号：CN117282380A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210680865.1

申请日：2022-06-16

Applicant: 同济大学

Inventor： 陆伟 ,  陆顺达

IPC: B01J19/08 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种磁场强度可调的纳米材料磁场诱导生长装置，具有这样的特征，有炉架；磁场单元，设置在炉架的中间位置，用于提供磁场；加热炉，设置在炉架上，用于盛放纳米材料以及对纳米材料进行加热；以及降温单元，用于对上方永磁铁和下方永磁铁进行降温。

公开(公告)号：CN113462993B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110727622.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 同济大学

Inventor： 陆伟 ,  帅商亮 ,  王韬磊 ,  向震 ,  陆顺达

IPC: C22C45/04 ,  C22F1/10 ,  C21D9/52 ,  B22D11/06 ,  G01R33/06

Abstract: 本发明公开了一种钴基非晶合金薄带及其制备方法和用途。一种钴基非晶合金薄带由化学式为Co68Fe6.5Si12.5B10NbxNi3‑x的合金形成，其中x＝0.5～2.5。本发明在传统的钴基非晶CoFeSiB中加入了Ni、Nb元素，可以使非晶合金的软磁性能得到提升，获得更明显的趋肤效应，进而使得GMI效应也更为显著；同时薄带的力学性能得到提升，可承受较大的拉应力，能更好地适用于GMI应力传感器。

公开(公告)号：CN115274283A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210878473.6

申请日：2022-07-25

Applicant: 同济大学

Inventor： 陆伟 ,  陆顺达

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/06

Abstract: 本发明提供了一种具有高矫顽力的无稀土MnBiMg永磁合金及其制备方法。首先将Mn、Bi和Mg按照预制比例混合，得到母合金原料，在真空环境和惰性气体保护下，对母合金原料进行真空感应熔炼，得到合金锭，然后将合金锭破碎成小块，再次进行真空感应熔炼，重熔数次后得到最终合金锭，最后将最终合金锭在真空环境下进行均匀化退火，即得MnBiMg永磁合金，其中，预制比例为Mn、Bi和Mg的原子个数比为55：45‑x：x，x＝1,2,3,4。与现有技术相比，本发明制得的MnBiMg永磁合金具有高矫顽力、较高磁能积和优良的综合磁性能。此外，本发明的制备方法成本低廉，操作简便。

公开(公告)号：CN113462993A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110727622.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 同济大学

Inventor： 陆伟 ,  帅商亮 ,  王韬磊 ,  向震 ,  陆顺达

IPC: C22C45/04 ,  C22F1/10 ,  C21D9/52 ,  B22D11/06 ,  G01R33/06

Abstract: 本发明公开了一种钴基非晶合金薄带及其制备方法和用途。一种钴基非晶合金薄带由化学式为Co68Fe6.5Si12.5B10NbxNi3‑x的合金形成，其中x＝0.5～2.5。本发明在传统的钴基非晶CoFeSiB中加入了Ni、Nb元素，可以使非晶合金的软磁性能得到提升，获得更明显的趋肤效应，进而使得GMI效应也更为显著；同时薄带的力学性能得到提升，可承受较大的拉应力，能更好地适用于GMI应力传感器。