一种多位置机械锁紧液压缸

    公开(公告)号:CN113062898A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110425938.8

    申请日:2021-04-20

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种多位置机械锁紧液压缸,包括液压缸缸筒以及固定在液压缸缸筒两端的前端盖和后端盖,液压缸缸筒的内腔通过活塞分为互不连通的左腔和右腔,所述的活塞通过活塞杆伸出前端盖,该液压缸还包括在液压缸缸筒侧壁的横向圆柱型锁紧槽内且随活塞杆同步运动并进行多位置机械锁紧的锁紧杆,与现有技术相比,本发明能够完成对液压缸两端运动极限位置及中位实现可靠锁紧,保证液压缸正常工况和极限工况下的安全性和可靠性,适用于环境复杂、精准度要求高、可靠性要求高的场合。

    一种高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119390427B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510014128.1

    申请日:2025-01-06

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷及其制备方法和应用,所述制备方法包括如下步骤:将氧化镁和氧化钇按照预定比例混合得到基材,加入含钇的氟化物作为烧结助剂,所述含钇的氟化物的添加质量为基材的质量的1~10%,形成复相陶瓷坯体;将复相陶瓷坯体在惰性无氧气氛中烧结,得到所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷;所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷的刻蚀深度为300~500nm/h。与现有技术相比,采用含钇的氟化物作为烧结助剂,在陶瓷表面形成稳定的保护性氟化层,提高陶瓷的耐刻蚀性,同时避免刻蚀环境下分解并引入杂质的风险,所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷特别适用于半导体制造中的刻蚀设备。

    一种正重叠滑阀内部配合尺寸间接测量方法

    公开(公告)号:CN116123182A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211586861.3

    申请日:2022-12-09

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种正重叠滑阀内部配合尺寸间接测量方法,方法包括以下步骤:S1、通过检测台进行试验,获取滑阀的静态压力特性曲线;S2、根据静态压力特性曲线的直线段上四个点的数值,获取滑阀的四个轴向正重叠量;S3、根据静态压力特性曲线的非直线段上一个点的数值,通过迭代法获取滑阀的结果径向间隙量,基于径向间隙量和轴向正重叠量得到滑阀内部配合尺寸。与现有技术相比,本发明通过滑阀的性能即可预测和掌握正重叠滑阀内部的配合尺寸链,提高了滑阀制造过程中的测量效率。

    一种基于晶界调控气孔分布的GOS闪烁陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119430941A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202510014131.3

    申请日:2025-01-06

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于晶界调控气孔分布的GOS闪烁陶瓷及其制备方法和应用,所述制备方法包括如下步骤:加入硫氧化钆、分散剂,配制充分分散的硫氧化钆浆料;在大于1T的强磁场环境中,使用吸浆模具成型,使硫氧化钆颗粒的c轴沿磁场方向择优排列;脱模并干燥成型的湿坯;将干燥后的坯体在800‑1200℃预烧;采用放电等离子烧结(SPS)在1750‑1900℃烧结,最终制备出晶粒定向排列的硫氧化钆闪烁陶瓷,即为所述基于晶界调控气孔分布的GOS闪烁陶瓷。与现有技术相比,本发明的方法通过结合磁场定向技术和先进的放电等离子烧结(SPS)工艺,系统性地优化制备流程,实现了材料性能和生产效率的双提升。

    一种高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119390427A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202510014128.1

    申请日:2025-01-06

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷及其制备方法和应用,所述制备方法包括如下步骤:将氧化镁和氧化钇按照预定比例混合得到基材,加入含钇的氟化物作为烧结助剂,所述含钇的氟化物的添加质量为基材的质量的1~10%,形成复相陶瓷坯体;将复相陶瓷坯体在惰性无氧气氛中烧结,得到所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷;所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷的刻蚀深度为300~500nm/h。与现有技术相比,采用含钇的氟化物作为烧结助剂,在陶瓷表面形成稳定的保护性氟化层,提高陶瓷的耐刻蚀性,同时避免刻蚀环境下分解并引入杂质的风险,所述高耐刻蚀性钇镁复相透明陶瓷特别适用于半导体制造中的刻蚀设备。

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