公开(公告)号：CN117479552A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311173822.5

申请日：2023-09-12

Applicant: 同济大学

Inventor： 黄佳 ,  刘旭 ,  代世磊

IPC: H10K19/00 ,  H10K10/40 ,  H10K71/00 ,  H10K71/20 ,  H10K77/10 ,  G06N3/004

Abstract: 本发明提供了一种全光刻有机离子门控突触晶体管阵列，包括：基底以及设置在基底上的多个全光刻有机离子门控突触晶体管，全光刻有机离子门控突触晶体管包括：源漏栅电极，设置在基底上；半导体层，设置在源漏栅电极上；离子凝胶层，设置在半导体层上，其中，源漏栅电极、半导体层、离子凝胶层均通过光刻法进行图案化。本发明还提供了一种上述全光刻有机离子门控突触晶体管阵列的制备方法，制备得到的全光刻有机离子门控突触晶体管阵列可以响应不同的电刺激信号，模拟各种突触行为，并且可与柔性衬底兼容，获得良好的弯曲耐受性。

公开(公告)号：CN117460273A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311173840.3

申请日：2023-09-12

Applicant: 同济大学

Inventor： 黄佳 ,  吴岳 ,  代世磊

IPC: H10K39/30 ,  H10K71/12 ,  H10K71/20 ,  H10K30/65 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明提供了一种基于聚合物半导体/光敏量子点的光电晶体管阵列，包括：基底和设置在基底上的多个光电晶体管，每个光电晶体管均包括：栅电极，设置在基底上；绝缘层，设置在栅电极上方；源漏电极，设置在绝缘层上方；光敏层，设置在绝缘层以及源漏电极上；载流子传输层，设置在光敏层上方，其中，源漏电极、光敏层和载流子传输层均通过光刻方法进行图案化，每个位于绝缘层上同一位置的源漏电极、光敏层和载流子传输层的图案及下方绝缘层、栅电极组成一个光电晶体管，所有光电晶体管组成光电晶体管阵列。本发明还提供了上述光电晶体管阵列的制备方法，制备的光电晶体管阵列具有较好的光敏性和一致性，可在光信号刺激下，模拟生物突触的基本行为。