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公开(公告)号：CN119470511A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411745034.3
申请日：2024-11-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01N23/203 , G01N23/20008 , G01T1/00
Abstract: 本公开提供了一种背散射探测器，包括：多个探测器模块，布置在不同位置且射线信号通道相互独立；其中，多个探测器模块中至少两个第一探测模块彼此的探测区域面积不同，至少两个第一探测模块各自的探测区域面积分别与各自的目标第一计数率相适配。本公开还公开了一种背散射探测装置。
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公开(公告)号：CN108398445B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810437654.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种探测器模块结构，包括：探测器组件，包括探测器和与探测器连接的信号输出连接件；数据采集电路板，包括板体和信号输入连接件，板体的第一表面具有信号输入区，信号输入连接件设置于信号输入区，信号输出连接件与信号输入连接件连接；第一封盖，贴合于板体的与第一表面相对的第二表面；探测器封罩，罩设于探测器组件和信号输入连接件外；第一连接件，连接探测器封罩、板体和第一封盖；和第一密封元件，设置于探测器封罩与第一表面之间，用于密封探测器封罩和信号输入区所形成的区域。本发明可以提高探测器模块结构的环境适应性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN105330289A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410398953.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , G01T1/20
CPC classification number: C09K11/7772 , C04B35/5156 , C04B35/547 , C04B35/6261 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B40/0007 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3287 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明涉及一种采用单轴加压放电等离子体烧结（SPS），任选地结合热等静压二次烧结技术，快速制备具有Pr,Ce,Tb,Eu中的至少一种元素掺杂的硫氧化钆（具有化学通式Gd2O2S，简称GOS）多晶闪烁陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN117587517A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311648400.9
申请日：2023-12-04
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种制备溴铅铯晶体的方法，包括：1)将溴化铅、溴化铯和无水乙醇置于石英容器，并密封，使石英容器保持真空状态；2)旋转并加热石英容器，使无水乙醇高温裂解并使碳沉积在石英容器的内部壁；3)加热石英容器，使溴化铯和溴化铅熔化并反应生成熔融的溴铅铯；4)降温，使熔融的溴铅铯生长晶体。该方法工艺简单、安全经济。
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公开(公告)号：CN106847936B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201611120663.2
申请日：2016-12-07
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种基于金属键合的光电器件封装结构及其制造方法。根据实施例，一种光电器件封装结构可以包括光电芯片和封装基底。光电芯片包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；在衬底上形成的光电器件；以及在第一表面上形成的用于光电器件的电极。封装基底具有彼此相对的第一表面和第二表面，并包括从第一表面延伸到第二表面的导电通道。光电芯片以其第一表面面向封装基底的方式与封装基底叠置在一起，且光电芯片的第一表面上形成的电极与封装基底中的相应导电通道键合在一起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105798466B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410831981.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B28D1/24
CPC classification number: G01T1/2018
Abstract: 本发明的陶瓷闪烁体阵列的加工方法具备如下步骤：（a）利用激光在闪烁体基片上在第一方向形成彼此平行并且间隔预定距离的预定数量的平直的第一方向通透切缝；（b）使用粘合剂充分填充所述第一方向通透切缝并使所述粘合剂固化；（c）利用激光在所述闪烁体基片上在与第一方向垂直的第二方向上以预定间隔形成预定数目的彼此平行的第二方向通透切缝；以及（d）使用粘合剂充分填充所述第二方向通透切缝并使所述粘合剂固化。
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公开(公告)号：CN101685072B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810223268.6
申请日：2008-09-28
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种用于辐射成像的探测器模块，该探测器模块包括外壳；固定在外壳上的背板，所述背板包括背板电路板；设置在所述背板电路板上的至少一个第一插接件和至少一个第二插接件；至少一块前端电路板，所述前端电路板通过所述第一插接件与所述背板电路板电连接；和探测器，所述探测器通过所述第二插接件与所述背板电路板电连接。由此，本发明的探测器模块具有以下优点：模块组装方便；前端电路板拆卸方便，适合模块电路调试与维修；探测器由探测器组件构成，易于和探测器模块分离等等。本发明还涉及一种使用了上述探测器模块的辐射成像检查系统。
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公开(公告)号：CN117607934A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311811466.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本公开提供了一种辐射剂量检测装置和辐射剂量检测方法。该辐射剂量检测装置包括：电离室，限定出容纳空间，所述容纳空间中填充有气体，所述气体被配置成与进入所述容纳空间的射线发生反应产生电子；N个VDMOS器件，置于所述容纳空间内，N为大于或等于1的整数；其中，N个所述VDMOS器件中至少一个器件的源漏反向电流电压曲线响应于所述电子发生变化，所述射线的辐射剂量通过变化前后的所述源漏反向电流电压曲线得到。
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公开(公告)号：CN112358296A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011347167.7
申请日：2014-08-14
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/645 , G01T1/202
Abstract: 本发明涉及种硫氧化钆闪烁陶瓷制备方法，特别地是具有Pr,Ce,Tb,Eu中的至少一种元素掺杂的GOS（具有化学通式Gd2O2S）的闪烁陶瓷的低成本两步烧结制备方法，包括单轴热压一次烧结和热等静压二次烧结。
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公开(公告)号：CN111384204A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811631961.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背照式光电器件的背面处理工艺，包括以下步骤：对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度；该工艺采用机械减薄以及化学减薄和化学抛光处理背照式光电器件的背面，可以减少背照式光电器件的背面加工对CMP设备的需求，降低光电器件背面处理的成本，提高光电器件的制造效率，因此较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。
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