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公开(公告)号：CN1211636A
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：CN98116827.2
申请日：1998-07-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明属单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜的类P－N结及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压,六角氮化硼作源加射频功率,氩气作工作气体,在衬底上沉积c－BN薄膜,二者间形成类P－N结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统P－N结,但具有传统P－N结的电学特性,电容值增大106倍,由于c－BN能隙大于6.4ev的宽禁带,使类P－N结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1059935C
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN98104978.8
申请日：1998-01-21
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明的纳米晶立方氮化硼薄膜材料及制备方法属一种薄膜材料及物理气相沉积的制作方法。立方氮化硼膜(3)直接沉积在硅衬底(1)上，中间没有过渡层，平均晶粒尺度为4～10nm。利用镀膜装置，采用射频磁控溅射工艺，严格控制氩气和氮气体积比及总压强，衬底(1)上的偏压在-(400～200)V范围逐段升高，温度控制在400～500℃范围。本发明设备及工艺简单，成本低，立方氮化硼晶粒尺度小，结晶好，整体纯度高，薄膜材料不爆裂，适于实际应用。
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公开(公告)号：CN1063235C
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN98116827.2
申请日：1998-07-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明属硅/立方氮化硼膜的类P-N结电子器件材料及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压，六角氮化硼作源加射频功率，氩气作工作气体，在衬底上沉积c-BN薄膜，二者间形成类P-N结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统P-N结，但具有传统P-N结的电学特性，电容值增大106倍，由于c-BN能隙大于6.4ev的宽禁带，使类P-N结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。
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公开(公告)号：CN1210900A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98115352.6
申请日：1998-06-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的低应力c－BN薄膜及其制备装置和制备方法属物理气相沉积方法制备薄膜材料的领域。采用射频磁控溅射加磁控弧光放电相结合的装置和工艺,以h－BN为靶材,在氮气、氩气气氛辉光放电中沉积c－BN薄膜。薄膜结构是在基底与立方氮化硼膜之间有一分子晶体氮化硼层。本发明由于加了磁控弧光放电装置,使基底没有离子轰击,电子回旋运动提高等离子体中的离化度,而实现了快速沉积附着力好的能够实用的低应力c－BN薄膜的形成。
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公开(公告)号：CN1197847A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98104978.8
申请日：1998-01-21
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明的纳米晶立方氮化硼薄膜及制备方法属一种薄膜材料和物理气相沉积的方法。立方氮化硼膜(3)直接沉积在硅片衬底(1)上,中间没有过渡层,平均晶粒尺度为4～10nm。利用镀膜装置,采用射频磁控溅射工艺,严格控制氩气和氮气体积比及总压强,衬底(1)上的偏压在－(400～200)V范围逐段升高,温度控制在400～500℃范围。本发明设备及工艺简单,成本低,制备的薄膜晶粒尺度小、结晶好、整体纯度高,不爆裂,适于实际应用。
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