公开(公告)号：CN112531067A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011403965.7

申请日：2020-12-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 宋俊峰 ,  王欣伟 ,  李雨轩 ,  刘晓斌 ,  李雪妍 ,  郜峰利

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供了一种锗硅雪崩光电探测器，包括：雪崩放大区；分别与所述雪崩放大区接触的第一欧姆接触层和电荷收集区；与所述电荷收集区连接的控制栅结构；其中，所述控制栅结构用于控制所述电荷收集区的势垒高度。也就是说，该锗硅雪崩光电探测器基于所述控制栅结构，通过调节栅极电压来控制电荷收集区的势垒高度，使只有暗电流中的载流子堆积势能高于某一势垒时才允许通过，进而降低锗硅雪崩光电探测器的暗电流，提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN112531067B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202011403965.7

申请日：2020-12-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 宋俊峰 ,  王欣伟 ,  李雨轩 ,  刘晓斌 ,  李雪妍 ,  郜峰利

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供了一种锗硅雪崩光电探测器，包括：雪崩放大区；分别与所述雪崩放大区接触的第一欧姆接触层和电荷收集区；与所述电荷收集区连接的控制栅结构；其中，所述控制栅结构用于控制所述电荷收集区的势垒高度。也就是说，该锗硅雪崩光电探测器基于所述控制栅结构，通过调节栅极电压来控制电荷收集区的势垒高度，使只有暗电流中的载流子堆积势能高于某一势垒时才允许通过，进而降低锗硅雪崩光电探测器的暗电流，提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN112835060A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110007852.3

申请日：2021-01-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 宋俊峰 ,  王欣伟 ,  李雨轩 ,  刘晓斌 ,  李雪妍 ,  郜峰利

IPC: G01S17/10 ,  G01S7/484 ,  G01S7/4865

Abstract: 本发明公开了一种激光收发芯片，光收发单元连接光开关阵列中对应的输出端；光收发单元包括光分束器、光发射器、光接收器和探测器；光开关阵列的输出端连接光分束器的输入端，光分束器的第一输出端连接光发射器，光分束器的第二输出端连接探测器；光接收器的输出端连接探测器，同一光收发单元中光接收器与光发射器相邻设置；光开关阵列用于通过光发射器发射探测激光，光接收器用于接收返回的探测激光，探测器用于根据发送以及接收的两探测激光确定探测激光的飞行时间。通过将光发射器与光接收器合并为一个光收发单元仅连接一个光开关阵列，可以简化结构，节省能耗，且方向自然对准。本发明还提供了一种激光探测器，同样具有上述有益效果。