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公开(公告)号：CN116288156A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310120657.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种有机发光分子薄膜相变过程的激光调控方法，属于光电器件制备技术领域，包括步骤一：施主衬底和目标衬底的预处理；步骤二：有机发光分子薄膜相变过程的激光调控；该方法通过激光作用于有机分子的过程提供了分子处于液态或者气态的瞬时时间，大大减小分子取向过程的阻力，解决固态环境下分子间作用力以及分子和衬底间作用力大的问题；并且有机分子在沉积到目标衬底上之后，不仅分子取向可以受到调控，有机分子薄膜的最终形态也能够通过激光参数等进行调控，为激光诱导有机分子薄膜制备同时实现分子取向调控提供一种新的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114883516A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210516580.4
申请日：2022-05-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化方法及其应用，属于光电器件制备技术领域，通过在具有保护层的条件下利用激光在荧光薄膜上实现图案化烧蚀；将荧光材料旋涂在玻璃衬底上，制备均匀的荧光材料薄膜，并贴附一层透明保护层，然后在飞秒激光的作用下，最终在衬底上图案化烧蚀去除，留下图案化的荧光薄膜；其原理为当飞秒激光聚焦在玻璃和荧光薄膜界面时，并且激光能量达到荧光薄膜的烧蚀阈值时，荧光薄膜就可以被烧蚀去除；而在烧蚀去除过程中，粒子以及烧蚀碎屑的飞溅会影响材料表面的光滑度以及烧蚀效率，通过利用透明保护层贴附在荧光薄膜上，使得在烧蚀过程中图案化薄膜不受到碎屑的影响，从而实现高质量荧光薄膜的图案化制备。
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公开(公告)号：CN116100972B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202310120656.6
申请日：2023-02-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光转印的全彩荧光薄膜图案化方法，属于光电器件制备技术领域，具体步骤如下：步骤(1)：载体衬底和接收衬底的准备；步骤(2)：激光转印；本发明利用激光聚焦在旋涂有荧光材料的载体衬底上，并通过激光的作用将红、绿和蓝光荧光材料从载体衬底上转移到接收衬底上，最终在载体衬底上得到全彩荧光图案。利用激光转印全彩荧光薄膜的过程中不涉及牺牲层的使用，减少了牺牲层在转印材料上的残留，以及简化了制备过程，并且可以进一步提高转印的精度。该过程是一种无接触的过程，不会对转印的荧光材料造成污染。
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公开(公告)号：CN114883516B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210516580.4
申请日：2022-05-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化方法及其应用，属于光电器件制备技术领域，通过在具有保护层的条件下利用激光在荧光薄膜上实现图案化烧蚀；将荧光材料旋涂在玻璃衬底上，制备均匀的荧光材料薄膜，并贴附一层透明保护层，然后在飞秒激光的作用下，最终在衬底上图案化烧蚀去除，留下图案化的荧光薄膜；其原理为当飞秒激光聚焦在玻璃和荧光薄膜界面时，并且激光能量达到荧光薄膜的烧蚀阈值时，荧光薄膜就可以被烧蚀去除；而在烧蚀去除过程中，粒子以及烧蚀碎屑的飞溅会影响材料表面的光滑度以及烧蚀效率，通过利用透明保护层贴附在荧光薄膜上，使得在烧蚀过程中图案化薄膜不受到碎屑的影响，从而实现高质量荧光薄膜的图案化制备。
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公开(公告)号：CN116100972A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310120656.6
申请日：2023-02-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光转印的全彩荧光薄膜图案化方法，属于光电器件制备技术领域，具体步骤如下：步骤(1)：载体衬底和接收衬底的准备；步骤(2)：激光转印；本发明利用激光聚焦在旋涂有荧光材料的载体衬底上，并通过激光的作用将红、绿和蓝光荧光材料从载体衬底上转移到接收衬底上，最终在载体衬底上得到全彩荧光图案。利用激光转印全彩荧光薄膜的过程中不涉及牺牲层的使用，减少了牺牲层在转印材料上的残留，以及简化了制备过程，并且可以进一步提高转印的精度。该过程是一种无接触的过程，不会对转印的荧光材料造成污染。
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公开(公告)号：CN113401864A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010617797.5
申请日：2020-06-30
Applicant: 吉林大学
IPC: B82B3/00 , H01L31/0352 , G01J1/42 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种利用激光组装制备半导体微纳米结构的方法及其应用，属于半导体制备技术领域，即利用激光诱导沉积作用精准直写黑硅微纳米结构或碳化硅微纳米结构。通过将微量的半导体纳米粒子颗粒分散在去离子水溶剂中，在强力超声30分钟下，纳米颗粒形成具有一定稳定性的胶体溶液，激光与胶体溶质纳米颗粒作用，最终在电极上形成编程可控的具有高纵横比的半导体微纳米结构。其主要原理为，利用激光与纳米颗粒作用，使得激光的动量发生改变，最终形成的效果是纳米颗粒聚集在激光焦点附近，由于纳米颗粒吸收光能后大部分以热量的形式散发，使得颗粒熔接在电极衬底上。
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