公开(公告)号：CN101587902B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200910067164.5

申请日：2009-06-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  吕宪义 ,  卢冬 ,  成绍恒 ,  邹广田

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/552 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明的一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法属集成电路芯片材料的技术领域。通过改进传统SOI结构中绝缘材料，制得以纳米抗辐射材料，如纳米金刚石，掺氮纳米金刚石，纳米氮化硼等作为绝缘层(8)的新型SOI结构。采用注氢键合技术和化学气相沉积方法，制成连接器件表层硅(3)—纳米绝缘层(8)—金刚石膜或/和单晶体Si衬底(4)的SOI结构。这种结构不仅具有传统SOI和SOD结构的优势，而且工艺更为简单，增强抗总剂量辐射，进一步提高SOI器件的总体抗辐射能力。适用于航空、航天、军工等领域的应用。

公开(公告)号：CN101587902A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910067164.5

申请日：2009-06-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  吕宪义 ,  卢冬 ,  成绍恒 ,  邹广田

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/552 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明的一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法属集成电路芯片材料的技术领域。通过改进传统SOI结构中绝缘材料，制得以纳米抗辐射材料，如纳米金刚石，掺氮纳米金刚石，纳米氮化硼等作为绝缘层(8)的新型SOI结构。采用注氢键合技术和化学气相沉积方法，制成连接器件表层硅(3)-纳米绝缘层(8)-金刚石膜或/和单晶体Si衬底(4)的SOI结构。这种结构不仅具有传统SOI和SOD结构的优势，而且工艺更为简单，增强抗总剂量辐射，进一步提高SOI器件的总体抗辐射能力。适用于航空、航天、军工等领域的应用。