公开(公告)号：CN111276456B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010099798.5

申请日：2020-02-18

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 翁文杰 ,  王恒

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有介质层；形成通孔于所述介质层中；形成不完全固化的保护层于所述通孔中，且所述保护层将所述介质层掩埋在内；采用溶剂去除部分厚度的所述保护层，以使得所述保护层的顶表面不超出所述介质层的顶表面；形成沟槽于部分厚度的所述介质层中，所述沟槽的底部与所述通孔连通；以及，去除剩余的所述保护层，以重新暴露出所述沟槽的底部下方的所述通孔。本发明的技术方案使得半导体器件的生产时间缩短，进而使得生产成本降低且产率提高。

公开(公告)号：CN111276456A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010099798.5

申请日：2020-02-18

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 翁文杰 ,  王恒

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有介质层；形成通孔于所述介质层中；形成不完全固化的保护层于所述通孔中，且所述保护层将所述介质层掩埋在内；采用溶剂去除部分厚度的所述保护层，以使得所述保护层的顶表面不超出所述介质层的顶表面；形成沟槽于部分厚度的所述介质层中，所述沟槽的底部与所述通孔连通；以及，去除剩余的所述保护层，以重新暴露出所述沟槽的底部下方的所述通孔。本发明的技术方案使得半导体器件的生产时间缩短，进而使得生产成本降低且产率提高。