公开(公告)号：CN111211039B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201910048694.9

申请日：2019-01-18

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 张玉贵 ,  吴佳特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。通过在沟槽中填充含氧绝缘层，并进一步注入硼离子以形成氧化硼，从而可利用含氧化硼的含氧绝缘层构成沟槽隔离结构的绝缘材料，相当于提高了沟槽隔离结构其绝缘材料的绝缘性能，有利于同时改善沟槽隔离结构的隔离性能与填沟能力。

公开(公告)号：CN111312595A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010139900.X

申请日：2020-03-03

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 张纪稳 ,  张玉贵 ,  崔助凤

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明提供了一种金属互连层的制作方法，包括：提供半导体基底，半导体基底中开设有至少一个凹槽；形成一金属层于半导体基底上，金属层填充凹槽并向上凸出凹槽至第一高度，金属层还覆盖半导体基底的顶表面，并且金属层中覆盖半导体基底的顶表面的顶部位置对应于第二高度的位置，第一高度高于第二高度；刻蚀金属层中至少对应于凹槽上方的部分，以使金属层中对应于凹槽上方的部分的顶部位置降低至第三高度的位置，第三高度与第二高度之间的高度差小于第一高度和第二高度之间的高度差。本发明提供的金属互连层的制作方法可以确保最终制得的金属互连层的电阻特性和稳定性。

公开(公告)号：CN110676162A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201810717248.8

申请日：2018-07-03

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 张玉贵 ,  方建智 ,  彭康钧 ,  林群证

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/45

摘要： 本发明提供了一种金属硅化物层的形成方法、半导体器件及其形成方法。通过在金属层和衬底之间形成缓冲材料层，从而在热退火工艺的过程中，可使金属层中的金属粒子能够在缓冲材料层的缓冲作用下穿过缓冲材料层，并扩散到衬底中，有利于减小金属粒子在衬底中的扩散速度和扩散深度，进而能够减缓金属和衬底中的硅的反应速度。如此一来，即能够有效降低所形成的金属硅化物发生聚集的风险，从而可避免在衬底中引发大量的针孔缺陷，并可改善所形成的金属硅化物层的界面粗糙度。

公开(公告)号：CN110867384A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201810980356.4

申请日：2018-08-27

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 张玉贵 ,  方建智 ,  彭康钧 ,  李建财

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明提供一种半导体结构制造方法，涉及半导体技术领域。该方法提供一种半导体堆叠结构，所述半导体堆叠结构包括基底以及依次堆叠在所述基底上的过渡层、金属层和捕获层，在所述半导体堆叠结构在进行热处理并形成半导体结构时，过渡层能够在形成半导体结构的过程中提供硅补偿，避免出现金属层与基底反应速度过快以及形成的半导体结构空洞、表面不平整以及粗糙度较大等问题，降低了半导体结构的表面电阻，提高了制程工艺的稳定性以及良品率。

公开(公告)号：CN111211039A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910048694.9

申请日：2019-01-18

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 张玉贵 ,  吴佳特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种沟槽隔离结构及其形成方法。通过在沟槽中填充含氧绝缘层，并进一步注入硼离子以形成氧化硼，从而可利用含氧化硼的含氧绝缘层构成沟槽隔离结构的绝缘材料，相当于提高了沟槽隔离结构其绝缘材料的绝缘性能，有利于同时改善沟槽隔离结构的隔离性能与填沟能力。