公开(公告)号：CN111211039B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201910048694.9

申请日：2019-01-18

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 张玉贵 ,  吴佳特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。通过在沟槽中填充含氧绝缘层，并进一步注入硼离子以形成氧化硼，从而可利用含氧化硼的含氧绝缘层构成沟槽隔离结构的绝缘材料，相当于提高了沟槽隔离结构其绝缘材料的绝缘性能，有利于同时改善沟槽隔离结构的隔离性能与填沟能力。

公开(公告)号：CN111211039A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910048694.9

申请日：2019-01-18

申请人： 合肥晶合集成电路有限公司

发明人： 张玉贵 ,  吴佳特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种沟槽隔离结构及其形成方法。通过在沟槽中填充含氧绝缘层，并进一步注入硼离子以形成氧化硼，从而可利用含氧化硼的含氧绝缘层构成沟槽隔离结构的绝缘材料，相当于提高了沟槽隔离结构其绝缘材料的绝缘性能，有利于同时改善沟槽隔离结构的隔离性能与填沟能力。