一种新型花状SnO2/g-C3N4异质结光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN112007632A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010886776.3

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明涉及一种新型花状SnO2/g-C3N4异质结光催化材料的制备方法。其制备方法包括以下几个步骤:首先以三聚氰胺为前驱体在箱式炉中多次煅烧制备块状g-C3N4,对块状g-C3N4在乙醇溶剂中进行超声剥离得到g-C3N4纳米薄片。同时以SnCl2·2H2O和Na3C6H5O7·2H2O为原料采用溶剂热法制备花状SnO2;然后将g-C3N4和花状SnO2在乙醇溶剂物理混合,充分搅拌直至乙醇挥发,最后把干燥好的样品在管式炉中通N2退火,最终得到花状SnO2/g-C3N4复合光催化剂。复合材料中,花状SnO2中含有活性缺陷中心Sn2+,与Sn4+构成Sn2+/Sn4+氧化还原对,可以作为光生载流子传输通道,加快电荷的转移和分离,从而可以大幅度提高光催化降解效率,能够有效降解环境中的污染物。

    一种二氧化钛纳米锥阵列/含硫空位的硫化铟锌光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN114772635B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202210571895.9

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛纳米锥阵列/含硫空位的硫化铟锌光催化剂的制备方法,其制备方法如下:首先以钛网、钛酸异丙酯、乙酰丙酮、乙二胺四乙酸二钠为原材料,水热法制备二氧化钛纳米锥阵列,以InCl3、(CH3COO)2Zn·2H2O和N2H4·H2O作为含硫空位的硫化铟锌的前驱体,同时加入制备好的二氧化钛纳米锥阵列,通过水热法得到复合材料二氧化钛纳米锥阵列/含硫空位的硫化铟锌。本研究所构筑的二氧化钛纳米锥阵列与含有S空位的ZnIn2S4在S‑Ti键和内部电场作用下,形成三维界面结构,协同构成Z‑scheme光催化体系,在ZnIn2S4中引入缺陷硫空位,作为电子“陷阱”,进一步加速光催化载体的分离效率从而实现更高效的光催化性能。

    一种花状SnO2/g-C3N4异质结光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN112007632B

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202010886776.3

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明涉及一种花状SnO2/g‑C3N4异质结光催化材料的制备方法。其制备方法包括以下几个步骤:首先以三聚氰胺为前驱体在箱式炉中多次煅烧制备块状g‑C3N4,对块状g‑C3N4在乙醇溶剂中进行超声剥离得到g‑C3N4纳米薄片。同时以SnCl2·2H2O和Na3C6H5O7·2H2O为原料采用溶剂热法制备花状SnO2;然后将g‑C3N4和花状SnO2在乙醇溶剂物理混合,充分搅拌直至乙醇挥发,最后把干燥好的样品在管式炉中通N2退火,最终得到花状SnO2/g‑C3N4复合光催化剂。复合材料中,花状SnO2中含有活性缺陷中心Sn2+,与Sn4+构成Sn2+/Sn4+氧化还原对,可以作为光生载流子传输通道,加快电荷的转移和分离,从而可以大幅度提高光催化降解效率,能够有效降解环境中的污染物。

    一种二氧化钛纳米锥阵列/含硫空位的硫化铟锌光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN114772635A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210571895.9

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛纳米锥阵列/含硫空位的硫化铟锌光催化剂的制备方法,其制备方法如下:首先以钛网、钛酸异丙酯、乙酰丙酮、乙二胺四乙酸二钠为原材料,水热法制备二氧化钛纳米锥阵列,以InCl3、(CH3COO)2Zn·2H2O和N2H4·H2O作为含硫空位的硫化铟锌的前驱体,同时加入制备好的二氧化钛纳米锥阵列,通过水热法得到复合材料二氧化钛纳米锥阵列/含硫空位的硫化铟锌。本研究所构筑的二氧化钛纳米锥阵列与含有S空位的ZnIn2S4在S‑Ti键和内部电场作用下,形成三维界面结构,协同构成Z‑scheme光催化体系,在ZnIn2S4中引入缺陷硫空位,作为电子“陷阱”,进一步加速光催化载体的分离效率从而实现更高效的光催化性能。

Patent Agency Ranking