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公开(公告)号:CN113372568A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110758782.5
申请日:2021-07-05
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C08G83/00 , B01J20/22 , B01J20/285 , B01J20/30 , B01D15/38 , C07C29/76 , C07C33/26 , C07C41/36 , C07C43/23 , C07C201/16 , C07C205/37 , C07C231/24 , C07C233/65 , C07C233/73 , C07C233/66
Abstract: 本发明公开钕基或钬基手性金属‑有机多孔晶态材料的制备方法,涉及手性科学技术领域,钕基或钬基手性金属‑有机多孔晶态材料以手性H3L为桥联配体,钕或钬为金属节点,通过“一锅法”配位组装而成;手性H3L配体的结构式如下:本发明还提供采用上述方法制得的钕基或钬基手性金属‑有机多孔晶态材料及应用。本发明的有益效果在于:本发明利用手性配体H3L分别与钕和钬离子配位得到同时具有独特手性空腔、敞开手性通道以及手性分离性能的两种手性材料,制备方法简单、条件温和可控、产率高易重复。钕基手性金属‑有机多孔晶态材料手性空腔更大、手性通道更宽,对手性二醇和手性酰胺的分离表现出显著更高的对映选择性和更广的底物适用范围。
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公开(公告)号:CN113372568B
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202110758782.5
申请日:2021-07-05
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C08G83/00 , B01J20/22 , B01J20/285 , B01J20/30 , B01D15/38 , C07C29/76 , C07C33/26 , C07C41/36 , C07C43/23 , C07C201/16 , C07C205/37 , C07C231/24 , C07C233/65 , C07C233/73 , C07C233/66
Abstract: 本发明公开钕基或钬基手性金属‑有机多孔晶态材料的制备方法,涉及手性科学技术领域,钕基或钬基手性金属‑有机多孔晶态材料以手性H3L为桥联配体,钕或钬为金属节点,通过“一锅法”配位组装而成;手性H3L配体的结构式如下:本发明还提供采用上述方法制得的钕基或钬基手性金属‑有机多孔晶态材料及应用。本发明的有益效果在于:本发明利用手性配体H3L分别与钕和钬离子配位得到同时具有独特手性空腔、敞开手性通道以及手性分离性能的两种手性材料,制备方法简单、条件温和可控、产率高易重复。钕基手性金属‑有机多孔晶态材料手性空腔更大、手性通道更宽,对手性二醇和手性酰胺的分离表现出显著更高的对映选择性和更广的底物适用范围。
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公开(公告)号:CN113754548A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202111251952.7
申请日:2021-10-26
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C07C213/02 , C07C213/10 , C07C215/08 , C07C29/62 , C07C29/86 , C07C29/80 , C07C31/36
Abstract: 本发明公开3‑氨基丙醇的制备方法,涉及有机合成技术领域,本发明包括以下步骤:(1)将1,3‑丙二醇和35%的盐酸在N,N‑二甲基甲酰胺催化下进行取代反应,从所得反应液中萃取、精馏分离得到3‑氯丙醇;(2)在密闭体系中,将所述3‑氯丙醇与氨水进行反应,从所得反应液中萃取、精馏分离得到3‑氨基丙醇。本发明的有益效果在于:本发明提供的一种3‑氨基丙醇的简便合成方法,仅有两步反应,反应流程简单,且具有较高收率。
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公开(公告)号:CN107312945B
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201710548696.5
申请日:2017-07-07
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 一种电子封装用Cu/Ag(Invar)复合材料的制备方法,采用主盐为AgNO3,还原剂为KNaC4H4O6的化学镀溶液体系对平均粒径为25‑50 um的Invar粉体进行化学镀Ag,制备出化学镀Ag(Invar)复合粉体,以Ag(Invar)复合粉体与平均粒径为25‑50 um的Cu粉为原料,按照30‑50 wt%Cu的成分配料后,加入原料粉体总量0.5wt%的硬脂酸锌作为润滑剂,双轴滚筒混料,300‑600 MPa单向压制,高纯H2气氛保护,650‑800℃保温1‑3 h常压烧结制备Cu/Ag(Invar)复合材料,并采用多道次冷轧+退火的形变热处理工艺实现复合材料的近完全致密化。采用上述工艺制备的40 wt%Cu/Ag(Invar)复合材料可达致密度99%,硬度为HV256,热膨胀系数11.2×10‑6 K‑1,热导率53.7 W·(m·K)‑1,综合性能优异,可用作高性能电子封装热沉材料。
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公开(公告)号:CN107312945A
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201710548696.5
申请日:2017-07-07
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 一种电子封装用Cu/Ag(Invar)复合材料的制备方法,采用主盐为AgNO3,还原剂为KNaC4H4O6的化学镀溶液体系对平均粒径为25-50 um的Invar粉体进行化学镀Ag,制备出化学镀Ag(Invar)复合粉体,以Ag(Invar)复合粉体与平均粒径为25-50 um的Cu粉为原料,按照30-50 wt%Cu的成分配料后,加入原料粉体总量0.5wt%的硬脂酸锌作为润滑剂,双轴滚筒混料,300-600 MPa单向压制,高纯H2气氛保护,650-800 ℃保温1-3 h常压烧结制备Cu/Ag(Invar)复合材料,并采用多道次冷轧+退火的形变热处理工艺实现复合材料的近完全致密化。采用上述工艺制备的40 wt%Cu/Ag(Invar)复合材料可达致密度99%,硬度为HV256,热膨胀系数11.2×10-6 K-1,热导率53.7 W·(m·K)-1,综合性能优异,可用作高性能电子封装热沉材料。
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