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公开(公告)号：CN113053936B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110194033.4
申请日：2021-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的实施例描述了一种用于在图像传感器装置的辐射感测区域上形成镜子微结构的方法。该方法包括在衬底的前侧表面内形成开口；在开口的底部和侧壁表面上形成共形的注入层；在开口的底部和侧壁表面上生长第一外延层；在第一外延层上沉积第二外延层以填充开口，其中第二外延层形成辐射感测区域。该方法还包括在第二外延层的暴露表面上沉积堆叠件，其中该堆叠件包括高折射率材料层和低折射率材料层的交替对。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053925B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011451846.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144
Abstract: 一种集成电路、光电侦测器以及形成集成电路的方法，集成电路包括光电侦测器。光电侦测器包括圆形光栅，此光栅形成在半导体基板中的环形沟槽中。圆形光栅包括定位在环形沟槽中的多个介电鳍片及多个光敏鳍片。圆形光栅配置用以接收入射光，并引导入射光围绕环形沟槽穿过多个介电鳍片及多个光敏鳍片，直至光被多个光敏鳍片中的一者吸收为止。
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公开(公告)号：CN113206165B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011294865.5
申请日：2020-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 提供了具有增大的量子效应长度的光子器件及其形成方法。在一些实施例中，光子器件包括具有第一表面的衬底。腔从第一表面至第二表面延伸至衬底中。半导体层设置在位于衬底的腔中的第二表面上，并且覆盖层设置在半导体层上。半导体层配置为接收穿过衬底的入射辐射并且在半导体层和覆盖层之间的界面处全内反射该辐射。本申请的实施例还涉及成像器件。
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公开(公告)号：CN106601673B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610720080.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
Abstract: 一种在半导体衬底中形成深沟槽的方法包括：在半导体衬底上方形成第一掩模图案，其中，第一掩模图案具有暴露半导体衬底的部分的第一开口；在第一掩模图案上方形成第二掩模图案，其中，第二掩模图案具有与第一开口基本对准的第二开口以暴露半导体衬底的部分，并且第二开口的宽度大于第一开口的宽度以进一步暴露第一掩模图案的部分；以及去除半导体衬底的部分、第一掩模图案的部分和半导体衬底的位于第一掩模图案的部分下方的另一部分以形成深沟槽。本发明实施例涉及形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：CN115520830A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210056332.6
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微机电系统装置及其形成方法，微机电系统(MEMS)装置包含位于外壳内的空腔中的活动梳状结构及固定至外壳的静止结构。活动梳状结构包含梳轴部分及自梳轴部分侧向突出的活动梳指。活动梳状结构包含金属材料部分。活动结构及静止结构被用以基于活动结构相对于静止结构的侧向移动来产生电输出信号。
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公开(公告)号：CN115513372A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210357643.6
申请日：2022-04-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种电容器结构及其制造方法，形成第一层电容器组合件，第一层电容器组合件包括嵌入第一基板内且包括与至少一个第一节点介电层交错的至少两个第一金属电极层的第一交替式层堆叠以及位于第一前表面上的第一金属接合垫。形成第二层电容器组合件，第二层电容器组合件包括嵌入第二基板内且包括与至少一个第二节点介电层交错的至少两个第二金属电极层的第二交替式层堆叠以及位于第二背侧表面上的第二金属接合垫。将第二金属接合垫接合至第一金属接合垫，使得至少两个第一金属电极层中的每一者接触至少两个第二金属电极层中的一相应者。提供具有增大电容的电容器。
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公开(公告)号：CN114975439A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110757158.3
申请日：2021-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路、互补式金属氧化物半导体装置及其制造方法，互补式金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法包括形成在第一衬底上的第一类型的晶体管及形成在第二衬底上的第二类型的晶体管。当第一衬底接合至第二衬底时，形成CMOS装置。
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公开(公告)号：CN113206165A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011294865.5
申请日：2020-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 提供了具有增大的量子效应长度的光子器件及其形成方法。在一些实施例中，光子器件包括具有第一表面的衬底。腔从第一表面至第二表面延伸至衬底中。半导体层设置在位于衬底的腔中的第二表面上，并且覆盖层设置在半导体层上。半导体层配置为接收穿过衬底的入射辐射并且在半导体层和覆盖层之间的界面处全内反射该辐射。本申请的实施例还涉及成像器件。
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公开(公告)号：CN113053925A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011451846.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144
Abstract: 一种集成电路、光电侦测器以及形成集成电路的方法，集成电路包括光电侦测器。光电侦测器包括圆形光栅，此光栅形成在半导体基板中的环形沟槽中。圆形光栅包括定位在环形沟槽中的多个介电鳍片及多个光敏鳍片。圆形光栅配置用以接收入射光，并引导入射光围绕环形沟槽穿过多个介电鳍片及多个光敏鳍片，直至光被多个光敏鳍片中的一者吸收为止。
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