公开(公告)号：CN118645492A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410640616.9

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈筱筑 ,  李春霆 ,  陈伟轩 ,  张哲嘉 ,  林侃儒 ,  陈仪宪

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了中段制程(MOL)互连件和用于形成MOL互连件的对应技术。示例性MOL互连结构包括设置在绝缘层中的无阻挡源极/漏极接触件、无阻挡源极/漏极通孔和无阻挡栅极通孔。无阻挡源极/漏极设置在外延源极/漏极上，并且无阻挡源极/漏极接触件包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极/漏极通孔设置在无阻挡源极/漏极接触件上，并且无阻挡源极/漏极通孔包括钼。无阻挡栅极通孔设置在与外延源极/漏极相邻设置的栅极堆叠件上，并且无阻挡栅极通孔包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极/漏极通孔和/或无阻挡栅极通孔的宽度可以小于约16nm。无阻挡源极/漏极通孔和/或无阻挡栅极通孔可以同时形成(例如，通过相同的自底向上沉积)。本申请的实施例还涉及互连结构及其制造方法。