公开(公告)号：CN101924026A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010212859.0

申请日：2010-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚亮吉 ,  郑淳护 ,  李陈毅 ,  许俊豪 ,  万幸仁

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/283 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种降低用于高介电常数介电质和金属栅极堆叠结构的界面层厚度的方法。上述方法包括于一半导体基板的上方形成一界面层；回蚀刻上述界面层；于上述界面层的上方沉积一高介电常数材料；于上述高介电常数材料的上方形成一金属栅极。上述界面层可包括如化学氧化物、臭氧氧化物、热氧化物或利用紫外线硬化化学氧化物方式形成等。利用稀释氢氟酸工艺或氢氟酸气相(vapor HF)工艺或其他适当工艺回蚀刻上述界面层。在沉积高介电常数材料之前，还包括对上述界面层进行紫外线硬化工艺或低热预算退火工艺。依据本发明形成的界面层可达到高介电常数介电质/金属栅极元件在32nm世代或以下的世代的尺寸微缩趋势的要求。

公开(公告)号：CN101924026B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010212859.0

申请日：2010-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚亮吉 ,  郑淳护 ,  李陈毅 ,  许俊豪 ,  万幸仁

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/283 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种降低用于高介电常数介电质和金属栅极堆叠结构的界面层厚度的方法。上述方法包括于一半导体基板的上方形成一界面层；回蚀刻上述界面层；于上述界面层的上方沉积一高介电常数材料；于上述高介电常数材料的上方形成一金属栅极。上述界面层可包括如化学氧化物、臭氧氧化物、热氧化物或利用紫外线硬化化学氧化物方式形成等。利用稀释氢氟酸工艺或氢氟酸气相(vapor HF)工艺或其他适当工艺回蚀刻上述界面层。在沉积高介电常数材料之前，还包括对上述界面层进行紫外线硬化工艺或低热预算退火工艺。依据本发明形成的界面层可达到高介电常数介电质/金属栅极元件在32nm世代或以下的世代的尺寸微缩趋势的要求。