公开(公告)号：CN115472571A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210338580.X

申请日：2022-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周孟翰 ,  萧宜瑄 ,  刘书豪 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法包括形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成电介质层，以及蚀刻电介质层以形成接触开口。源极/漏极区域暴露于接触开口。该方法还包括沉积延伸到接触开口中的电介质间隔件层，蚀刻电介质间隔件层以在接触开口中形成接触间隔件，在沉积电介质间隔件层之后通过接触开口向源极/漏极区域中注入掺杂剂，以及形成接触插塞以填充接触开口。

公开(公告)号：CN118039696A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410084796.7

申请日：2024-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧宜瑄 ,  周孟翰 ,  林建佑 ,  张玮廷 ,  张添舜 ,  管金仪 ,  刘书豪 ,  徐志安

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：第一半导体纳米结构；与第一半导体纳米结构相邻的第二半导体纳米结构；位于第一半导体纳米结构的第一侧壁上的第一源极/漏极区域；位于第二半导体纳米结构的第二侧壁上的第二源极/漏极区域，第二源极/漏极区域与第一源极/漏极区域完全分隔开；以及位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的源极/漏极接触件。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN118737966A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410450948.0

申请日：2024-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建佑 ,  张添舜 ,  萧宜瑄 ,  刘书豪 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，制造方法包含以下步骤：在一基板上方形成一鳍形结构，该鳍形结构包含一第一通道层、一牺牲层及一第二通道层；跨该鳍形结构形成一虚设栅极结构；使该鳍形结构凹进；在该第一通道层的相对侧上磊晶生长第一源极/漏极磊晶结构；形成第一介电层以分别覆盖所述多个第一源极/漏极磊晶结构；在该第二通道层的相对侧上磊晶生长第二源极/漏极磊晶结构；移除该虚设栅极结构及该牺牲层以在所述多个第一源极/漏极磊晶结构之间及所述多个第二源极/漏极磊晶结构之间形成一栅极沟槽；及在该栅极沟槽中形成一金属栅极结构。所述多个第二源极/漏极磊晶结构分别位于所述多个第一介电层上方。

公开(公告)号：CN116247074A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310115567.2

申请日：2023-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周孟翰 ,  萧宜瑄 ,  刘书豪 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域，设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物；以及接触间隔物，环绕源极/漏极接触，接触间隔物包括第一掺杂物及非晶化杂质。