-
公开(公告)号：CN117293033A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310579015.7
申请日：2023-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种鳍式场效晶体管半导体装置的形成方法，包含沉积导电材料横跨于相邻多个鳍片的每一者上；沉积牺牲遮罩于导电材料上；以牺牲遮罩图案化导电材料，以形成多个导电材料区段；沉积牺牲层于牺牲遮罩上，以及图案化牺牲层。牺牲层图案化的部分是残留于牺牲遮罩上，牺牲遮罩的部分是暴露，且牺牲遮罩的暴露的部分延伸横跨于相邻鳍片的每一者上。方法亦包含移除牺牲层的部分，其中牺牲层的此部分是在牺牲遮罩上，且在移除牺牲遮罩上的牺牲层的部分后，移除牺牲遮罩，自半导体基材磊晶成长多个源极/漏极区，并电性连接源极/漏极区至其他装置。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
