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公开(公告)号：CN112447540A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010382910.6
申请日：2020-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 何韦德 , 吴汉威 , 唐沛陞 , 李孟融 , 林华泰 , 童思频 , 姜兰欣
IPC: H01L21/66
Abstract: 本揭露揭示一种用于使用高阶晶圆翘曲评估薄膜非均匀应力的方法，步骤包括：量测归因于薄膜沉积的越过一晶圆区域的一净晶圆翘曲，将一二维低阶多项式适配至这些晶圆翘曲量测值，及自越过该晶圆区域的该净晶圆翘曲减去该低阶多项式。
